[发明专利]图像感测装置

权利要求书

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：

半导体基板，所述半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面并且包括用于像素区域和焊盘区域的不同部分，所述像素区域包括像素结构，所述焊盘区域用于提供外部电连接；

第一焊盘金属层，所述第一焊盘金属层形成在所述半导体基板的所述第一表面上方并位于所述焊盘区域中；

抗反射层，所述抗反射层形成在所述第一焊盘金属层的第一部分上方以接触所述第一焊盘金属层的顶表面；以及

焊盘钝化层，所述焊盘钝化层形成在所述第一焊盘金属层和所述抗反射层上方，

其中，所述第一焊盘金属层的第二部分被设置为焊盘开口区域，所述焊盘开口区域被形成为暴露出所述第一焊盘金属层的所述顶表面，并且所述第一焊盘金属层和所述抗反射层之间的界面被构造为不被暴露于外部。

2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，

所述抗反射层被形成在所述第一焊盘金属层的所述顶表面的边缘区域中。

3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，

所述抗反射层被形成为围绕所述第一焊盘金属层的所述顶表面的中央部分。

4.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述焊盘开口区域比在所述第一焊盘金属层上方并且由所述抗反射层限定的区域具有更小的尺寸。

5.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，

所述焊盘钝化层被形成为覆盖所述抗反射层的顶表面和侧表面，并且被形成为延伸到所述第一焊盘金属层的所述顶表面的一些区域。

6.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，

所述第一焊盘金属层和所述抗反射层包括彼此不同的金属材料。

7.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中，

所述第一焊盘金属层包括铝Al，并且

所述抗反射层包括氮化钛TiN、氮化钽TaN或氮化钨WN中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：

导线，所述导线设置在所述半导体基板的所述第二表面上方；以及

硅通孔TSV，所述硅通孔TSV形成为贯穿所述半导体基板以使所述第一焊盘金属层和所述导线电互连。

9.根据权利要求8所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：

第二焊盘金属层，所述第二焊盘金属层设置在所述第一焊盘金属层和所述硅通孔TSV之间。

10.根据权利要求9所述的图像感测装置，其中，

所述第二焊盘金属层与所述硅通孔TSV集成在一起。

11.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，

所述焊盘钝化层被形成为延伸到所述像素区域。

12.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：

像素区域，所述像素区域包括多个单位像素，每个单位像素被构造为通过将入射光转换为电信号来提供像素信号；以及

焊盘区域，所述焊盘区域位于所述像素区域的一侧，并且被构造为包括多个焊盘以电联接到外部电路，

其中，所述焊盘区域包括：

第一区域，在所述第一区域中第一焊盘金属层通过焊盘开口区域暴露于外部；

第二区域，在所述第二区域中形成与所述第一焊盘金属层的顶表面接触的抗反射层和与所述抗反射层的顶表面和侧表面接触的焊盘钝化层；以及

第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域和所述第二区域之间，并且以所述焊盘钝化层延伸以形成在所述第一焊盘金属层的所述顶表面上方的方式形成。

13.根据权利要求12所述的图像感测装置，其中，

所述第二区域被形成为围绕所述第一区域的形状。