[发明专利]紫外线发光器件和包括其的发光器件封装件

说明书

本发明涉及一种紫外线发光器件和包括其的发光器件封装件，所述发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层、以及暴露出所述第一导电型半导体层的蚀刻区域；第一绝缘层，其设置在所述发光结构上，并且包括暴露出所述蚀刻区域的一部分的第一孔；第一电极，其电连接于所述第一导电型半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二导电型半导体层，其中，所述发光结构包括在由所述第一孔暴露的所述第一导电型半导体层上再生长的中间层，所述第一电极设置在所述中间层上，以所述第一电极的外侧面为基准，所述蚀刻区域包括设置在内侧的第一蚀刻区域和设置在外侧的第二蚀刻区域，所述第一蚀刻区域的面积与所述中间层的面积之比为1∶0.3至1∶0.7。

技术领域

本发明涉及一种紫外线发光器件和包括其的发光器件封装件。

背景技术

作为将电能转换为光的重要固态器件之一，发光二极管(LED，Light EmittingDiode)通常包括置于两个相反掺杂层之间的半导体材料的有源层。当在两个掺杂层的两端施加偏压时，空穴和电子被注入到有源层中，然后在有源层中复合，从而发光。在有源区域中产生的光沿所有方向发射，并通过所有暴露的表面逸出半导体芯片。LED的封装件通常用于将逸出的光导向为所需的输出发射形式。

近年来，随着应用领域的扩大和对大功率紫外线LED产品的需求增长，正在进行许多研发以提高光功率。

近年来，随着对水处理和杀菌产品等的需求急增，紫外线LED越来越受到人们的关注，其可以通过在蓝宝石基板等的上生长缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层来制造。

然而，问题在于，紫外线LED由于使用了具有高占比的Al组分的AlGaN层，因此难以在n型半导体、p型半导体与金属电极之间形成欧姆接触(ohmic contact)，从而导致工作电压增加，此外，金属电极对紫外线光无法进行充分反射，从而导致光输出效率降低。

发明内容

技术问题

本发明可以提供一种工作电压变低的发光器件及包括其的发光器件封装件。

此外，可以提供一种光功率得到改善的发光器件及包括其的发光器件封装件。

此外，可以提供一种耐腐蚀的紫外线发光器件及包括其的发光器件封装件。

此外，可以提供一种能够阻止裂纹传播的紫外线发光器件及包括其的发光器件封装件。

本发明所要解决的问题不限于此，还包括从以下进行描述的技术问题的解决方案或实施例中能够获悉的目的或效果。

技术方案

根据本发明一个方面，发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层、以及暴露出所述第一导电型半导体层的蚀刻区域；第一绝缘层，其设置在所述发光结构上，并且包括暴露出所述蚀刻区域的一部分的第一孔；第一电极，其电连接于所述第一导电型半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二导电型半导体层，其中，所述发光结构包括在由所述第一孔暴露的所述第一导电型半导体层上再生长的中间层，所述第一电极设置在所述中间层上，以所述第一电极的外侧面为基准，所述蚀刻区域包括设置在内侧的第一蚀刻区域和设置在外侧的第二蚀刻区域，所述第一蚀刻区域的面积与所述中间层的面积之比为1∶0.3至1∶0.7。

所述中间层的厚度可以小于所述第一绝缘层的厚度。

所述第一绝缘层的厚度与所述中间层的厚度之比可以为1∶0.03至1∶0.5。

所述第一绝缘层可以包括延伸到所述中间层上部的第一延伸部。

所述第一电极可以包括延伸到所述第一绝缘层上部的第二延伸部，所述第二延伸部的宽度可以为5μm至15μm。