[发明专利]紫外线发光器件和包括其的发光器件封装件在审
| 申请号: | 202110182050.6 | 申请日: | 2021-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN114141921A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 成演准;吴承奎;苏载奉;李佶俊;金元虎;权泰完;吴东勋;崔日均;郑镇永 | 申请(专利权)人: | 光波株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑红梅 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 紫外线 发光 器件 包括 封装 | ||
1.一种紫外线发光器件,其包括:
发光结构,其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层、以及暴露出所述第一导电型半导体层的蚀刻区域;
第一绝缘层,其设置在所述发光结构上,并且包括暴露出所述蚀刻区域的一部分的第一孔;
第一电极,其电连接于所述第一导电型半导体层;以及
第二电极,其电连接于所述第二导电型半导体层,
所述发光结构包括在由所述第一孔暴露出的所述第一导电型半导体层上再生长的中间层,
所述第一电极设置在所述中间层上,
以所述第一电极的外侧面为基准,所述蚀刻区域包括设置在内侧的第一蚀刻区域和设置在外侧的第二蚀刻区域,
所述第一蚀刻区域的面积与所述中间层的面积之比为1∶0.3至1∶0.7。
2.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述中间层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
3.根据权利要求2所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度与所述中间层的厚度之比为1∶0.03至1∶0.5。
4.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述第一绝缘层包括延伸到所述中间层上部的第一延伸部。
5.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述第一电极包括延伸到所述第一绝缘层上部的第二延伸部,所述第二延伸部的宽度为5μm至15μm。
6.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述中间层包括层压多层的、具有不同铝组分的第一中间层和第二中间层,所述第一中间层的铝组分的占比高于所述第二中间层的铝组分的占比。
7.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,
所述第一导电型半导体层包括:第一子半导体层、设置在所述第一子半导体层上的第二子半导体层、设置在所述第二子半导体层上的第三子半导体层、以及设置在所述第三子半导体层上的第四子半导体层,
所述第二子半导体层的铝组分的占比低于所述第一子半导体层及所述第四子半导体层的铝组分的占比,
所述第三子半导体层的铝组分的占比低于所述第二子半导体层的铝组分的占比,所述中间层设置在所述第三子半导体层上。
8.根据权利要求7所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述中间层的铝组分的占比低于所述第三子半导体层的铝组分的占比。
9.根据权利要求1所述的紫外线发光器件,其特征在于,
所述发光结构包括:在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上相隔而设的多个发光区域,
所述中间层包括:多个指状部,其设置在所述多个发光区域之间,并且具有第一端和第二端;及边缘部,其围绕所述多个发光区域而设,
所述边缘部连接于所述多个指状部的第一端和第二端。
10.根据权利要求9所述的紫外线发光器件,其特征在于,所述多个指状部的所述第一端的宽度大于所述第二端的宽度。
11.根据权利要求10所述的紫外线发光器件,其特征在于,
所述第一电极包括:多个指状电极,其设置在所述多个发光区域之间,并且具有第一端和第二端;及边缘电极,其围绕所述多个发光区域而设,
所述边缘电极连接于所述多个指状电极的第一端和第二端,
所述指状电极的第一端的宽度大于所述指状电极的第二端的宽度。
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