[发明专利]存储器装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202110174910.1 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN113539331A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 黄盛炫;文映朝 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 及其 操作方法
【说明书】:

本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种控制连接到与执行擦除操作的子块相邻的子块的字线的浮置时间点的存储器装置包括:多个存储块,各个存储块包括多个子块;电压发生器,其被配置为生成多个电压以对所述多个子块中的任一个子块执行擦除操作;以及控制逻辑,其被配置为将连接到与执行擦除操作的子块邻近的相邻子块的多条字线分成多个组,并且被配置为在擦除操作期间控制电压发生器针对所述多个组中的每一个组不同地设定包括在各组中的字线的浮置时间点。

技术领域

本公开涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

背景技术

存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置包括将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘中的装置、将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)的半导体存储器中的装置或者存储卡(特别是非易失性存储器)。

存储装置可包括存储数据的存储器装置以及将数据存储在存储器装置中的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。这里,非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

本公开的实施方式提供了一种存储器装置及其操作方法,其在对子块的擦除操作期间控制连接到与执行擦除操作的子块相邻的子块的字线的浮置时间点。

根据本公开的实施方式的存储器装置可包括:多个存储块,各个存储块包括多个子块;电压发生器,其被配置为生成多个电压以对所述多个子块中的任一个执行擦除操作;以及控制逻辑,其被配置为将连接到与执行擦除操作的子块邻近的相邻子块的多条字线分成多个组,并且被配置为在擦除操作期间控制电压发生器针对所述多个组中的每一个不同地设定包括在各组中的字线的浮置时间点。

根据本公开的实施方式,提出了一种操作包括多个存储块的存储器装置的方法,各个存储块包括多个子块,该方法包括在对所述多个子块中的任一个的擦除操作期间,将连接到与执行擦除操作的子块邻近的相邻子块的多条字线分成多个组。该方法还包括针对所述多个组中的每一个不同地设定包括在各组中的字线的浮置时间点。

根据本技术,对于一些实施方式,可通过控制连接到与执行擦除操作的子块相邻的子块的字线的浮置时间点来防止相邻子块的扰动现象。

附图说明

图1是用于描述存储装置的框图。

图2是用于描述图1的存储器装置的结构的图。

图3是示出图2的存储器单元阵列的实施方式的图。

图4是用于描述局部字线、全局字线和块字线的图。

图5是用于描述子块的图。

图6是用于描述在对子块的擦除操作期间对相邻子块的影响的图。

图7是用于描述根据本公开的实施方式的在对子块的擦除操作期间控制浮置时间点的实施方式的图。

图8A和图8B是用于描述根据图7将电压施加到各条全局字线的时间点和局部字线的电压改变的图。

图9是示出根据本公开的用于控制浮置时间点的存储器装置中的控制逻辑和电压发生器的操作的图。

图10是示出根据本公开的通过控制浮置时间点施加到字线的电压分布的图。

图11A和图11B是用于描述根据本公开的实施方式的将子块分成组以控制浮置时间点的另一实施方式的图。

图12是用于描述根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的图。

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