[发明专利]一种光电芯片集成纤维的制作方法及其纤维制品

权利要求书

1.一种光电芯片集成纤维的制作方法，包括以下步骤：

将纤维基底材料制作成至少两个预制件；

将至少部分预制件进行处理得到带有凹槽的预制件；

将光电芯片放置于带有凹槽的预制件的凹槽中；

将至少两个预制件相互连接，形成其内设有光电芯片的预制棒；

对预制棒进行打孔，进而形成沿其轴向延伸的用于供引线通过的引线通道；

对预制棒进行热拉伸，并且同时向引线通道中馈送引线，使得引线在热拉伸过程中与光电芯片引脚电连接，得到光电芯片集成纤维，所述引线与所述光电芯片在热拉伸过程中保持形态和性能的固定。

2.一种光电芯片集成纤维的制作方法，包括以下步骤：

将引线与一列沿同一方向间隔排布的光电芯片的引脚均电连接形成光电芯片与引线的组合；

将纤维基底材料制备成预制棒；

对预制棒进行打孔，进而形成沿其轴向延伸的通道；

对预制棒进行热拉伸，并且同时向通道中馈送焊接后的光电芯片与引线的组合，使得电连接后的光电芯片与引线的组合在拉制过程中进一步封装，得到光电芯片集成纤维。

3.如权利要求1所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：

所述至少两个预制件的截面形状可以相同也可以不同。

4.如权利要求1或2所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述纤维基底材料为高透明的热塑性聚合物材料，包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氟树脂、氟树脂改性的聚甲基丙烯酸甲酯(F-PMMA)、环烯烃类共聚物(COC)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚乙二醇(PEG)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯(PP)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、苯乙烯二甲基丙烯酸甲酯共聚物(SMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲醛(POM)、聚苯醚(PPO)、聚对苯二甲酸丙二酯(PTT)以及聚偏二氯乙烯树脂(PVDC)中的至少一种。

5.如权利要求1或2所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述纤维基底材料的玻璃转换温度低于所述光电芯片以及所述引线的最高耐热温度。

6.如权利要求1或2所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述用将纤维基底材料制作成至少两个预制件，或者将纤维基底材料制备成预制棒可通过热压法、挤压法、薄膜卷绕法、注塑成型法、机械冷加工或3D打印方法实现。

7.如权利要求1或2所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述光电芯片包括发光二极管、光电探测器、激光二极管、光放大器和光电传感器中的至少一种。

8.如权利要求7所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：发光二极管包括AlGaInP发光二极管、AlGaAs发光二极管、GaAsP发光二极管、GaP发光二极管、GaN发光二极管、InGaN发光二极管中的至少一种。

9.如权利要求7所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述发光二极管在纤维内的发光角度不同。

10.如权利要求1所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述凹槽在所述带有凹槽的预制件内沿其长度方向均匀间隔分布有至少一排。

11.如权利要求1或2所述的光电芯片集成纤维的制作方法，其特征在于：所述光电芯片的厚度为1μm-500μm，所述光电芯片的体积为1μm³-125×10⁶μm³。