[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造装置

说明书

本发明提供一种成膜装置以及电子器件的制造装置，能够采用一边进行成膜材料的照射和蚀刻一边进行成膜的结构，并且能够提高薄膜的形成位置的精度。成膜装置具备：腔室(10)；通过朝向被保持在腔室(10)内的基板表面放出成膜材料来进行成膜动作的成膜材料放出装置(100)；蚀刻用射束照射装置(200)；以及输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)的输送装置(300)，一边利用输送装置(300)输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)，一边对所述基板同时进行成膜动作和蚀刻动作。

技术领域

本发明涉及用于在基板上形成薄膜的成膜装置以及电子器件的制造装置。

背景技术

以往，已知有通过溅射等在基板上形成薄膜的技术。但是，例如，在基板表面设置有凹凸的情况下，有时会在形成的薄膜的内部形成被称为空隙的空腔。作为其对策，已知有一边输送基板一边反复进行溅射和蚀刻的技术(参照专利文献1)。根据这样的技术，能够以沿着基板表面的凹凸的方式形成薄膜。

但是，在上述那样的技术中，在大型的基板的情况下，容易产生基板与掩模的位置偏移，难以提高形成薄膜的位置的精度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-67394号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供一种成膜装置以及电子器件的制造装置，能够采用一边进行成膜材料的照射和蚀刻一边进行成膜的结构，并且能够提高薄膜的形成位置的精度。

用于解决课题的方案

本发明为了解决上述课题而采用了以下方案。

即，本发明的成膜装置的特征在于，具备：

腔室；

成膜材料放出装置，所述成膜材料放出装置设置在所述腔室内，通过朝向被保持在该腔室内的基板表面放出成膜材料来进行成膜动作；

蚀刻用射束照射装置，所述蚀刻用射束照射装置设置在所述腔室内，通过朝向所述基板表面照射蚀刻用射束来进行蚀刻动作；以及

输送装置，所述输送装置输送所述成膜材料放出装置和蚀刻用射束照射装置，

一边利用所述输送装置输送所述成膜材料放出装置和蚀刻用射束照射装置，一边对所述基板同时进行所述成膜材料放出装置的所述成膜动作和所述蚀刻用射束照射装置的所述蚀刻动作。

根据本发明，在保持基板的状态下，通过被输送的成膜材料放出装置以及蚀刻用射束照射装置，分别进行成膜动作和蚀刻动作，因此，能够提高薄膜的形成位置的精度。

发明效果

如以上说明的那样，根据本发明，能够采用一边进行成膜材料的照射和蚀刻一边进行成膜的结构，并且能够提高薄膜的形成位置的精度。

附图说明

图1是俯视观察本发明的实施例1的成膜装置的内部结构的概略结构图。

图2是剖视观察本发明的实施例1的成膜装置的内部结构的概略结构图。

图3是剖视观察本发明的实施例1的成膜装置的内部结构的概略结构图。

图4是说明大气臂的机理的图。

图5(a)、(b)是本发明的实施例1的成膜材料放出装置的概略结构图。

图6(a)、(b)是本发明的实施例1的蚀刻用射束照射装置的概略结构图。

图7是表示电子器件的一例的示意性剖视图。