[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：

腔室；

成膜材料放出装置，所述成膜材料放出装置设置在所述腔室内，通过朝向被保持在该腔室内的基板表面放出成膜材料来进行成膜动作；

蚀刻用射束照射装置，所述蚀刻用射束照射装置设置在所述腔室内，通过朝向所述基板表面照射蚀刻用射束来进行蚀刻动作；以及

输送装置，所述输送装置输送所述成膜材料放出装置和所述蚀刻用射束照射装置，

一边利用所述输送装置输送所述成膜材料放出装置和所述蚀刻用射束照射装置，一边对所述基板同时进行所述成膜材料放出装置的所述成膜动作和所述蚀刻用射束照射装置的所述蚀刻动作，

所述蚀刻用射束照射装置相对于所述输送装置的输送方向分别设置在所述成膜材料放出装置的两侧。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜材料放出装置是进行溅射的溅射装置。

3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

所述溅射装置具备在溅射时旋转的圆筒状的靶。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

所述圆筒状的靶沿与所述输送装置的输送方向交叉的方向延伸。

5.如权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述蚀刻用射束照射装置具有出射所述蚀刻用射束的出射开口，

该出射开口沿与所述输送装置的输送方向交叉的方向延伸。

6.如权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

由所述蚀刻用射束照射装置照射的所述蚀刻用射束是离子束。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

作为所述蚀刻动作的对象的膜是无机膜。

8.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

作为所述蚀刻动作的对象的膜是氧化物膜或金属膜。

9.如权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

由所述蚀刻用射束照射装置照射的所述蚀刻用射束是激光束。

10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，

作为所述蚀刻动作的对象的膜是有机膜。

11.如权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述蚀刻用射束的照射方向相对于保持所述基板的保持面的垂线方向倾斜。

12.如权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述输送装置一边保持所述成膜材料放出装置和所述蚀刻用射束照射装置一边进行输送，以使所述成膜材料放出装置和所述蚀刻用射束照射装置往复移动，

由所述输送装置保持的所述成膜材料放出装置和所述蚀刻用射束照射装置在所述往复移动的去路以及回路中的至少任一方的移动中，对所述基板同时进行所述成膜材料放出装置的所述成膜动作和所述蚀刻用射束照射装置的所述蚀刻动作。

13.一种电子器件的制造装置，其特征在于，

所述电子器件的制造装置具备权利要求1～12中任一项所述的成膜装置，

通过所述成膜装置在基板上形成有机膜。

14.一种电子器件的制造装置，其特征在于，

所述电子器件的制造装置具备权利要求1～12中任一项所述的成膜装置，

通过所述成膜装置，在形成在基板上的有机膜上形成金属膜或金属氧化物膜。