[发明专利]电子装置在审
| 申请号： | 202110120067.9 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114551441A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 丁景隆;纪仁海;曾嘉平;叶承霖;韦忠光;周政旭 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
本揭露提供一种电子装置。电子装置包括基板、晶体管以及可变电容器。晶体管设置于基板上。可变电容器设置于基板上且相邻于晶体管。晶体管的材料与可变电容器的材料皆包括III‑V族半导体材料。本揭露实施例的电子装置可简化制程、降低成本或减小体积。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种可简化制程、降低成本或减小体积的电子装置。
背景技术
电子装置或拼接电子装置已广泛地应用于行动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子装置蓬勃发展，对于电子装置的品质要求越高。
发明内容
本揭露是提供一种电子装置，其具有可简化制程、降低成本或减小体积的效果。
根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、晶体管以及可变电容器。晶体管设置于基板上。可变电容器设置于基板上且相邻于晶体管。晶体管的材料与可变电容器的材料皆包括III-V族半导体材料。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图；
图1B为图1A的电子装置的电路示意图；
图2为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图；
图3为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图。
附图标号说明
100、100a、100b：电子装置；
110、110a：基板；
120、120a、120b：晶体管；
121：缓冲层；
122：第一半导体材料层；
122a：半导体材料层；
123：第二半导体材料层；
124：重掺杂半导体层；
1241：第一区；
1242：第二区；
125、125a：二维电子气；
130、130a：可变电容器；
131：轻掺杂半导体层；
132：第一电极；
132a：第一型接垫；
133：第二电极；
133a：第二型接垫；
133a1、1361b：侧表面；
134：空乏区；
135：第一型半导体层；
136：第二型半导体层；
1361：第一部分；
1361a：上表面；
1362：第二部分；
137：绝缘层；
1371：开口；
G：空隙；
GE、GE’：栅极；
SD1、SD1’：源极；
SD2、SD2’：漏极；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司，未经群创光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110120067.9/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
