[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

基板；

晶体管，设置于所述基板上；以及

可变电容器，设置于所述基板上且相邻于所述晶体管，

其中所述晶体管的材料与所述可变电容器的材料皆包括III-V族半导体材料。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述晶体管为高电子迁移率晶体管且所述可变电容器为可变电容二极管。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述可变电容器包括：

第一型半导体层，设置于所述基板上；

第二型半导体层的第一部分，设置于所述第一型半导体层上；

第一型接垫，设置于所述第一型半导体层上，并电性连接至所述第一型半导体层；以及

第二型接垫，设置于所述第二型半导体层的所述第一部分上，并电性连接至所述第二型半导体层的所述第一部分。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一型半导体层的导电类型不同于所述第二型半导体层的导电类型。

5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述晶体管包括：

所述第二型半导体层的第二部分，设置于所述第一型半导体层上；

半导体材料层，设置于所述第二型半导体层的所述第二部分上；

栅极，设置于所述半导体材料层上；以及

源极与漏极，分别设置于所述半导体材料层上。

6.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述可变电容器为肖特基二极管。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述可变电容器包括：

重掺杂半导体层的第一区，设置于所述基板上；

轻掺杂半导体层，设置于所述重掺杂半导体层的所述第一区上；

第一电极，设置于所述重掺杂半导体层的所述第一区上，并电性连接至所述重掺杂半导体层的所述第一区；以及

第二电极，设置于所述轻掺杂半导体层上。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第二电极与所述轻掺杂半导体层之间形成肖特基接触。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述晶体管包括：

缓冲层，设置于所述基板上；

第一半导体材料层，设置于所述缓冲层上；

第二半导体材料层，设置于所述第一半导体材料层上；

所述重掺杂半导体层的所述第一区与第二区，分别设置于所述第二半导体材料层上；

栅极，设置于所述第二半导体材料层上；以及

源极与漏极，分别设置于所述重掺杂半导体层的所述第一区与所述第二区上。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述晶体管电性连接至所述可变电容器。