[发明专利]一种窄带全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110098575.1 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN113764541A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 朱卫东;巴延双;张泽阳;张春福;陈大正;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 窄带 无机 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种窄带全无机钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于,包括:
选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底;
在所述FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层得到Glass/FTO/TiO2基底;
在所述玻璃衬底背面制备CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层得到CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2基底;
在所述TiO2电子传输层上制备CsPbIBr2钙钛矿光吸收层得到CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2/CsPbIBr2基底;
在所述CsPbIBr2钙钛矿光吸收层上沉积碳电极阳极制备得到窄带全无机钙钛矿光电探测器。
2.根据权利要求1所述的窄带全无机钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于,选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底包括:
将所述带有FTO电极阴极的玻璃衬底依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮、无水乙醇中超声清洗15min,其中,FTO电极阴极的厚度为100nm~120nm,不包括FTO电极阴极的玻璃衬底厚度为1.5mm~2.5mm;
将清洗过的带有FTO电极阴极的玻璃衬底放在UV-OZONE中处理15min~30min。
3.根据权利要求1所述的窄带全无机钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于,在所述FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层得到Glass/FTO/TiO2基底包括:
将80μL的TiO2溶胶在空气环境中以3000rpm的转速在UV-OZONE处理后的带有FTO电极阴极的玻璃衬底上旋涂30s;
将旋涂有TiO2的带有FTO电极阴极的玻璃衬底置于马弗炉中,并以空气氛围500℃退火1h制备了厚度为50nm~80nm的TiO2电子传输层得到所述Glass/FTO/TiO2基底。
4.根据权利要求1所述的窄带全无机钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于,在所述玻璃衬底背面制备CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层得到CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2基底包括:
取质量比为260mg的CsI固体、330mg的PbBr2固体、27.8mg的PbCl2固体溶于1mL的二甲基亚砜溶液中,常温下搅拌直至完全溶解得到CsPbIBr1.8Cl0.2溶液;
将Glass/FTO/TiO2基底的玻璃衬底背面置于手套箱N2环境中,将40μL~80μL的CsPbIBr1.8Cl0.2溶液以1500rpm的转速在Glass/FTO/TiO2基底的玻璃衬底背面旋涂30s,再将40μL~80μL的CsPbIBr1.8Cl0.2溶液以5000rmp的转速在Glass/FTO/TiO2基底的玻璃衬底背面旋涂120s;
将旋涂有CsPbIBr1.8Cl0.2溶液的Glass/FTO/TiO2基底的玻璃衬底背面置于60℃热台上退火10min制备了厚度为450nm~500n的CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层得到所述CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的