[发明专利]氧化铝的去除方法及三维存储器的制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种氧化铝的去除方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括暴露的氧化铝；采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝；所述湿法腐蚀方法采用的腐蚀液包括H₃PO₄溶液。

技术领域

本发明涉及半导体制备工艺领域，尤其涉及一种氧化铝的湿法腐蚀去除方法。

背景技术

半导体器件的制备通常需要经过多道复杂的半导体工艺过程才能得以完成，常规的半导体工艺包括沉积、刻蚀、清洗、封装等诸多程序。随着半导体器件性能、集成度等方面要求的不断提高，半导体器件结构逐渐朝着复杂化、小型化的方向发展，这给半导体器件制备工艺带来了挑战。

氧化铝材料是半导体器件制备工艺中常用的介质材料，在一些半导体器件加工工艺环节中，氧化铝材料需要被部分或全部去除。在目前的现有技术中，去除氧化铝材料往往需要耗费大量的工时，严重降低了半导体器件的生产效率，这在规模化生产上是难以接受的。而且，在传统去除过程中，氧化铝去除不彻底导致的残留物，还会造成器件稳定性差、生产量率低、成本上升等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种氧化铝的去除方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种氧化铝的去除方法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括暴露的氧化铝；

采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝；

所述湿法腐蚀方法采用的腐蚀液包括H₃PO₄溶液。

上述方案中：

所述氧化铝采用原子层沉积法形成。

上述方案中，所述原子层沉积法的沉积条件包括：

在500℃以上的温度条件下生长25-35h。

上述方案中，在采用原子层沉积法形成所述氧化铝之后，所述方法还包括：

对所述氧化铝进行快速热退火处理。

上述方案中，所述快速热退火处理还包括：

在800-1100℃的温度下，快速热退火处理6-15s。

上述方案中，所述氧化铝的厚度大于100nm。

上述方案中，在采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝前，所述方法还包括：

在所述半导体结构的除所述氧化铝以外的其他暴露部分上形成保护层。

上述方案中，所述保护层通过沉积工艺形成。

上述方案中，所述的湿法腐蚀方法的腐蚀温度为120-170℃。

上述方案中，所述H₃PO₄溶液为H₃PO₄与水的混合溶液，其中所述H₃PO₄的体积浓度为80-95％。

上述方案中，所述采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝，具体包括：通过控制湿法腐蚀方法的执行时间，将氧化铝完全去除。

本发明还提供了一种三维存储器的制备方法，所述方法包括上述氧化铝的去除方法的任一方案。

上述三维存储器的制备方法方案中，所述提供半导体结构，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成存储堆叠结构；