[发明专利]用于测试半导体装置的测试设备和方法在审
| 申请号: | 202110081236.2 | 申请日: | 2021-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN113203927A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
| 发明(设计)人: | 阿卜杜勒拉蒂夫·扎纳提;亨里克·阿森多夫;简-彼得·斯考特;尼古拉·拉米耶勒 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白 |
| 地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 测试 半导体 装置 设备 方法 | ||
1.一种用于测试半导体装置的测试设备,其特征在于,所述半导体装置包括集成电路和位于所述装置的表面处的多个外部辐射元件,所述辐射元件包括至少一个发射元件和至少一个接收元件,所述测试设备包括:
柱塞,所述柱塞包括:
电介质部分,所述电介质部分具有用于靠着所述装置的所述表面放置的表面;以及
至少一个波导,其中每个波导延伸穿过所述柱塞,以将由所述装置的所述发射元件中的一个发射元件发射的电磁辐射路由到所述装置的所述接收元件中的一个接收元件,其中每个波导包括用于电磁耦合到位于所述装置的所述表面处的所述多个辐射元件中的对应辐射元件的多个波导开口,
其中所述电介质部分被配置成提供匹配界面,以供所述柱塞的所述多个波导开口与所述装置的所述多个辐射元件进行所述电磁耦合。
2.根据权利要求1所述的测试设备,其特征在于,所述电介质部分具有在位于所述装置的表面处的所述多个辐射元件与所述柱塞的所述多个波导开口之间测量的厚度,所述厚度基本上等于λ/2,其中λ是所述电介质部分中所述电磁辐射的波长。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的测试设备,其特征在于,所述电介质部分包括弯曲表面,所述弯曲表面用于将由所述装置的多个发射元件发射的电磁辐射耦合到所述多个波导开口中的开口。
4.根据在前的任一项权利要求所述的测试设备,其特征在于,所述电介质部分另外被配置成提供密封件,以防止在使用所述测试设备测试所述半导体装置期间气流穿过所述半导体装置的所述辐射元件和/或穿过所述柱塞的所述多个波导开口。
5.根据在前的任一项权利要求所述的测试设备,其特征在于,另外包括位于所述柱塞的所述至少一个波导中的至少一个波导中的衰减部分。
6.根据在前的任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述波导中的至少一个波导被配置成将由所述装置的所述发射元件中的一个发射元件发射的电磁辐射路由到所述装置的多个接收元件。
7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于,所述波导包括:
第一分支,用于传送由所述发射元件发射的电磁辐射;以及
耦合到所述第一分支的至少两个另外的分支,用于将所述电磁辐射路由到所述多个接收元件。
8.根据在前的任一项权利要求所述的测试设备,其特征在于,所述电介质部分包括高密度聚乙烯(HDPE)、聚碳酸酯或陶瓷材料。
9.一种设备,其特征在于,包括在前的任一项权利要求所述的测试设备和所述半导体装置。
10.一种测试半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供半导体装置,所述半导体装置包括集成电路和位于所述装置的表面处的多个外部辐射元件,所述外部辐射元件包括至少一个发射元件和至少一个接收元件;
提供测试设备,所述测试设备包括:
柱塞,所述柱塞包括:
电介质部分,所述电介质部分具有用于靠着所述装置的所述表面放置的表面;以及
至少一个波导,其中每个波导延伸穿过所述柱塞,以将由所述装置的所述发射元件中的一个发射元件发射的电磁辐射路由到所述装置的所述接收元件中的一个接收元件,其中每个波导包括用于电磁耦合到位于所述装置的所述表面处的所述多个辐射元件中的对应辐射元件的多个波导开口,
其中所述电介质部分被配置成提供匹配界面,以供所述柱塞的所述多个波导开口与所述装置的所述多个外部辐射元件进行所述电磁耦合;
将所述柱塞的所述电介质部分的所述表面靠着所述装置的所述表面放置;以及
经由所述柱塞的至少一个波导将电磁辐射从至少一个所述发射元件发射到至少一个所述接收元件。
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