[发明专利]浅沟槽隔离的形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料为氮化硅；

通过光刻和刻蚀工艺，在所述衬底中形成沟槽；

对所述衬底进行湿法腐蚀处理，去除沟槽外侧的部分硬掩膜层以及令所述硬掩膜层的顶角圆滑；

形成一层氧化层，所述沟槽的侧壁和底部被所述氧化层覆盖；

去除所述氧化层，令所述沟槽外侧的衬底表面露出；

再次形成氧化层，所述沟槽的侧壁和底部被所述氧化层覆盖，且所述沟槽的顶角圆滑；

形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述氧化层；

利用氧化硅填充所述沟槽，形成浅沟槽隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行湿法腐蚀处理，包括：

对所述衬底表面的硬掩膜层进行湿法腐蚀处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行湿法腐蚀处理，包括：

对所述衬底表面的硬掩膜层和垫氧化层进行湿法腐蚀处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成氧化层，包括：

通过ISSG工艺生长氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成氮化硅层，包括：

通过沉积工艺或热炉管工艺，在所述氧化层表面形成氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用氧化硅填充所述沟槽，形成浅沟槽隔离，包括：

通过HDP工艺沉积氧化硅，利用所述氧化硅完全填充所述沟槽，形成浅沟槽隔离。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述氧化层，令所述沟槽外侧的衬底表面露出，包括：

通过湿法腐蚀工艺，去除所述氧化层，令所述沟槽外侧的衬底表面露出。

8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述利用氧化硅填充所述沟槽，形成浅沟槽隔离之后，所述方法还包括：

对所述衬底进行CMP处理。