[发明专利]用于制造集成电路的热点避免方法

说明书

本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。一种方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；以及将第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者进行比较。比较步骤包括计算第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者之间的相似度值。方法还包括将相似度值与预定阈值相似度值进行比较，并且响应于相似度值大于预定阈值相似度值的结果，记录具有该结果的相应图像的位置。该位置是相应图像在布图中的位置。

技术领域

本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。

背景技术

在集成电路的制造中，在通过从所制造的晶圆进行物理测量来完成相应工艺之后，可能发现诸如拓扑热点(hotspot)之类的工艺相关缺陷。例如，要找到与化学机械抛光(CMP)相关的缺陷，必须执行几个阶段(包括电路设计阶段、电路布图阶段、在物理晶圆上制造和执行CMP、以及测量物理晶圆)以发现拓扑缺陷。该过程通常需要三个月。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自所述多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；将所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者进行比较，其中，所述比较包括计算所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者之间的相似度值；将所述相似度值与预定阈值相似度值进行比较；以及响应于所述相似度值大于所述预定阈值相似度值的结果，记录具有所述结果的相应图像的位置，其中，所述位置是所述相应图像在所述布图中的位置。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成多个散列值，每个散列值来自所述多个图像之一；从热点库中搜索以找到与所述多个散列值相似的相似散列值，其中，所述热点库存储索引到具有热点的图像的散列值；以及标记所述多个图像中的与所述相似散列值相关联的一些图像在所述集成电路的布图上的位置。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造半导体器件的系统，包括：库，存储在有形介质中，所述库包括多个条目，每个条目包括：散列值；图像，与所述散列值相关联，其中，所述图像包括热点；配方，被配置为减少所述热点；以及所述热点的拓扑信息。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1至图4示出了根据一些实施例的在其上执行化学机械抛光工艺的结构以及结果的横截面视图。

图5示出了根据一些实施例的集成电路的设计和制造中的示意流程。

图6示出了根据一些实施例的用于构造热点库的过程流程。

图7示出了根据一些实施例的示例图像和所生成的散列值。

图8示出了根据一些实施例的具有热点的示例晶圆的示意图。

图9示出了根据一些实施例的示例裁剪图像。

图10示出了根据一些实施例的对散列值的分组。

图11和图12示出了根据一些实施例的具有不同图案密度和线宽的裁剪图像中的所表示区域。

图13示出了根据一些实施例的使用热点库来确定可能的热点的过程流程。

图14示出了根据一些实施例的将布图裁剪成多个裁剪图像。

图15示出了根据一些实施例的用于找到与热点相对应的配方(recipe)的过程流程。

图16示出了根据一些实施例的寻找配方中的图形表示。