[发明专利]用于制造集成电路的热点避免方法在审
| 申请号: | 202110070329.5 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN113449484A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
| 发明(设计)人: | 刘翼硕;夏致群;周信廷;苏冠华;洪伟伦;陈志宏;陈科维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 朱亦林 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 集成电路 热点 避免 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括:
从集成电路的布图中裁剪多个图像;
生成第一多个散列值,其中每一者来自所述多个图像之一;
加载存储在热点库中的第二多个散列值;
将所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者进行比较,其中,所述比较包括计算所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者之间的相似度值;
将所述相似度值与预定阈值相似度值进行比较;以及
响应于所述相似度值大于所述预定阈值相似度值的结果,记录具有所述结果的相应图像的位置,其中,所述位置是所述相应图像在所述布图中的位置。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个图像形成阵列,并且所述位置包括所述相应图像在所述阵列中的行号和列号。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在晶圆上制造所述集成电路,其中,所述制造包括对所述晶圆执行化学机械抛光工艺;以及
从所述位置找到热点,其中,所述热点是所述晶圆中的由于所述化学机械抛光工艺而产生的缺陷。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,裁剪所述多个图像包括:将所述布图划分为图像的阵列,并且裁剪所述阵列中的所述多个图像中的每个图像。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述预定阈值相似度值为0.9。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
从附加集成电路的附加布图中裁剪附加的多个图像;
生成第三多个散列值,其中每一者来自所述附加的多个图像之一;
将所述第三多个散列值中的每一者与存储在所述热点库中的所有散列值进行比较,以找到与所述第三多个散列值相似的一组散列值;以及
对该组散列值的相似度值进行排列。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:选择与该组散列值中的一个散列值相关联的配方。
8.一种制造半导体器件的方法,包括:
从集成电路的布图中裁剪多个图像;
生成多个散列值,每个散列值来自所述多个图像之一;
从热点库中搜索以找到与所述多个散列值相似的相似散列值,其中,所述热点库存储索引到具有热点的图像的散列值;以及
标记所述多个图像中的与所述相似散列值相关联的一些图像在所述集成电路的布图上的位置。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在晶圆上实现所述集成电路的布图,其中,所述实现包括使用配方对所述晶圆执行化学机械抛光工艺;和
检查所述晶圆上的所述位置以确定所述位置处的热点。
10.一种制造半导体器件的系统,包括:
库,存储在有形介质中,所述库包括多个条目,每个条目包括:
散列值;
图像,与所述散列值相关联,其中,所述图像包括热点;
配方,被配置为减少所述热点;以及
所述热点的拓扑信息。
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