[发明专利]一种新型高压传输门电路

说明书

本发明涉及高压模拟集成电路设计技术领域，具体公开了一种新型高压传输门电路，包括栅极驱动电路和高压开关管电路；其中，所述栅极驱动电路，用于在一开关电流信号的控制下，为所述高压开关管电路提供一高压栅极控制信号；所述高压开关管电路，用于根据所述高压栅极控制信号将一高压输入信号隔离或传输。本发明提供的新型高压传输门电路，具有高隔离度、低干扰、可直接级联的优点，特别可以克服现有技术中存在的传输门对信号源产生干扰、输出节点无法级联的缺点。

技术领域

本发明涉及高压模拟集成电路设计技术领域，更具体地，涉及一种新型高压传输门电路。

背景技术

高压传输门电路在各种系统中都有应用，是组成高压多路复用器的关键电路，特别是在电池管理系统中，用来实现不同电池信号的选通。

在高压BCD工艺中，DMOS器件可以实现漏极与源极耐高压，但是由于工艺的限制，栅极与源极之间一般不能耐高压。因此，高压传输门的栅极控制信号需要小心的设计。

传统的高压传输门电路如图1所示，该电路高压开关管P1、P2的栅极控制信号大小由第一电阻R1的压降决定，VS为开关控制信号；由于电阻R1、R2直接与高压输入信号节点A相连，当开关处于导通状态时，流过电阻R1、R2的电流信号会对输入信号产生干扰，在一些高精度场合要求中会引入较大误差；另外，该结构的高压传输门存在开关管P1、P2衬底二极管导通的可能，因此在应用时输出节点B无法级联。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供了一种新型高压传输门电路，可以克服现有技术中存在的栅极控制信号对输入信号产生干扰、输出节点无法级联的缺点。

作为本发明的第一个方面，提供一种新型高压传输门电路，包括栅极驱动电路和高压开关管电路；其中，

所述栅极驱动电路，用于在一开关电流信号的控制下，为所述高压开关管电路提供一高压栅极控制信号；

所述高压开关管电路，用于根据所述高压栅极控制信号将一高压输入信号隔离或传输。

进一步地，所述栅极驱动电路包括第一NMOS管N1、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4以及第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；所述高压开关管电路包括第二NMOS管N2和第三NMOS管N3；其中，

所述第一NMOS管N1的栅极分别连接高压输入信号A端和所述第三二极管D3的负极，漏极与所述第一电阻R1的一端相连，源极分别连接所述第三二极管D3的正极、第五NMOS管N5的漏极、第三电阻R3的一端以及第一二极管D1的正极；

所述第五NMOS管N5的栅极连接偏置信号VB2，漏极分别连接第三二极管D3的正极、第一NMOS管N1的源极、第三电阻R3的一端以及第一二极管D1的正极，源极连接第七NMOS管N7的漏极；

所述第七NMOS管N7的栅极连接偏置信号VB1，漏极连接第五NMOS管N5的源极，源极连接地；

所述第四NMOS管N4的栅极分别连接高压输出信号B端和所述第四二极管D4的负极，漏极与所述第二电阻R2的一端相连，源极分别连接所述第四二极管D4的正极、第六NMOS管N6的漏极、第四电阻R4的一端以及第二二极管D2的正极；

所述第六NMOS管N6的栅极连接偏置信号VB2，漏极分别连接第四二极管D4的正极、第四NMOS管N4的源极、第四电阻R4的一端以及第二二极管D2的正极，源极连接第八NMOS管N8的漏极；

所述第八NMOS管N8的栅极连接偏置信号VB1，漏极连接第六NMOS管N6的源极，源极连接地；