[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底层；

位于所述半导体衬底层一侧的第一本征半导体层；

位于所述第一本征半导体层背向所述半导体衬底层一侧的P型半导体层，所述P型半导体层包括自所述半导体衬底层向所述第一本征半导体层的方向上依次层叠的第一层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜；第M层P型子半导体膜至第一层P型子半导体膜中的P型离子的浓度依次递减；

M为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，M等于3，所述P型半导体层包括自所述半导体衬底层向所述第一本征半导体层的方向上依次层叠的第一层P型子半导体膜、第二层P型子半导体膜和第三层P型子半导体膜；第三层P型子半导体膜、第二层P型子半导体膜和第一层P型子半导体膜中的P型离子的浓度依次递减；

优选的，所述第三层P型子半导体膜中的P型离子的浓度是所述第一层P型子半导体膜中的P型离子的浓度的1.2～3倍；所述第二层P型子半导体膜中的P型离子的浓度是所述第一层P型子半导体膜中的P型离子的浓度的2.2～3倍。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，第一层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中还具有防扩散离子；

优选的，所述第一层P型子半导体膜中的P型离子包括第一部分P型离子，第二层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中的P型离子均包括第一部分P型离子和第二部分P型离子，所述防扩散离子与P型离子中的第一部分P型离子形成化学键；在所述第二层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中，所述防扩散离子与P型离子中的第二部分P型离子未形成化学键；

优选的，第一部分P型离子在第一层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中的浓度递减；第二部分P型离子在第二层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中的浓度递增，M为大于或者等于3的整数；所述防扩散离子在第一层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜中的浓度递减；

优选的，M等于3；

优选的，所述防扩散离子包括碳离子；

优选的，所述P型离子包括硼离子；

优选的，所述第二层P型子半导体膜中的第一部分P型离子和第二部分P型离子的摩尔数之比为5:2～1:2；第三层P型子半导体膜中的第一部分P型离子和第二部分P型离子的摩尔数之比为1:2～1:10。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，第一层P型子半导体膜的禁带宽度至第M层P型子半导体膜的禁带宽度递减。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，第一层P型子半导体膜的折射率至第M层P型子半导体膜的折射率递增。

6.根据权利要求1至3任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，第一层P型子半导体膜的厚度至第M层P型子半导体膜的厚度递减。

7.根据权利要求1至3任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底层另一侧的第二本征半导体层；位于所述第二本征半导体层背向所述半导体衬底层一侧的N型半导体层。

8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底层；

在所述半导体衬底层的一侧形成第一本征半导体层；

形成P型半导体层，形成所述P型半导体层的步骤包括：在所述第一本征半导体层背向所述半导体衬底层的一侧依次形成第一层P型子半导体膜至第M层P型子半导体膜；第M层P型子半导体膜至第一层P型子半导体膜中的P型离子的浓度依次递减；M为大于等于2的整数。