[发明专利]一种氧化铝薄膜、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110041832.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112725738A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王朋;陈军;余学功;刘粲;崔灿 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 沈留兴 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将硅片清洗，然后浸入1％的氢氟酸溶液中漂洗，去除硅片表面的氧化层，然后用氮气吹干；
二、将步骤一中清洗后的硅片放入热蒸发设备中，沉积铝膜；
三、热蒸法结束后，将表面镀有铝膜的硅片置于快速热退火设备中，然后在保护气氛下，升温，并在一定温度下保温一段时间，获得氧化铝薄膜。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中沉积铝膜所用的蒸发源是高纯铝丝，纯度大于99.99％。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中沉积的铝膜的厚度范围为1～50nm。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中保护气氛为氧气。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中升温的时间为5～10秒。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中保温的温度范围为600℃～900℃。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中保温的时间为1～500秒。
8.一种氧化铝薄膜，其特征在于，由权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备而得。
9.一种氧化铝薄膜的应用，其特征在于，上述权利要求8所述的氧化铝薄膜用作太阳能电池表面的钝化层。
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