[发明专利]一种二维Cd7 有效
| 申请号： | 202110031122.7 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112853490B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 周兴;彭乔俊;李东燕;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/64;C30B25/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 cd base sub | ||
1.一种二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
（1）将水平管式炉的反应区划分为上游低温区、中心温区和下游沉积区，并将氯化镉、碲粉和硒粉作为前驱体置于上游低温区；其中，氯化镉为CdCl2•xH2O；
（2）氯化镉、碲粉和硒粉反应生成Cd7Te7Cl8O17晶体材料后，采用载气将Cd7Te7Cl8O17晶体材料带入下游沉积区，以在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，由此得到二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料。
2.如权利要求1所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述水平管式炉对应上游低温区的外周设置有加热套，所述加热套的温度为400℃～450℃。
3.如权利要求1所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述中心温区的温度为800℃～850℃。
4.如权利要求1所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述下游沉积区的温度为500℃～600℃。
5.如权利要求1所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述水平管式炉采用40℃/分钟的升温方式进行加热。
6.如权利要求1-5任一项所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述中心温区和所述下游沉积区的压强小于等于一个大气压。
7.如权利要求1-5任一项所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述载气为氩气，所述载气的流量为50sccm；所述衬底为云母。
8.如权利要求1-5任一项所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法，其特征在于：所述衬底距离所述中心温区的距离为16cm。
9.一种二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料，其特征在于：所述二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料是采用权利要求1-8任一项所述的二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料的制备方法制备而成的。
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