[发明专利]显示面板以及显示装置有效
申请号: | 202110017059.1 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN112838099B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 肖偏;龙思邦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H10K59/131 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本发明提供了显示面板以及显示装置,该显示面板包括第一金属层和设于第一金属层上的绝缘层;其中,第一金属层包括第一重叠区域,第一重叠区域为第一金属层和绝缘层重叠的区域,第一重叠区域包括至少一个镂空区域;该方案可以减少第一金属层和绝缘层的正对面积,以减小沉积在第一金属层上的负离子浓度和正离子浓度的差异性,从而提高绝缘层的致密性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示器件的制造领域,具体涉及显示面板以及显示装置。
背景技术
Mini LED(Mini Light Emitting Diode ,亚毫米发光二极管)技术为在芯片上集成尺寸在100μm量级的LED阵列的技术,利用该技术制成的Mini LED显示面板具备区域亮度可调、高显色性、高对比度等优点。
目前,有源选址驱动的Mini LED面板中部分金属线传导的电流较大,因此该金属线的宽度也相应设置的较大。后期在该金属线上通过PVD(Physical Vapour Deposition,物理气相沉积)形成绝缘层的过程中,该金属线靠近靶材的一侧带正电,较大的宽度导致该金属线和等离子体的正对面积较大,金属线靠近靶材的一侧会吸引等离子体中较多的负离子以及排斥等离子体中较多的正离子,导致等离子体中的负离子和正离子无法均匀地沉积在金属线上,造成绝缘层中的负离子浓度和正离子浓度差异过大,降低了绝缘层的致密性。
综上所述,有必要提供可以提高绝缘层的致密性的显示面板以及显示装置。
发明内容
本发明目的在于提供显示面板以及显示装置,包括第一金属层和设于第一金属层上的绝缘层,通过将第一金属层和绝缘层重叠的区域设置为包括至少一个镂空区域,解决了现有技术中因金属线和等离子体的正对面积较大,导致等离子体中的负离子和正离子无法均匀地沉积在金属线上,导致形成的绝缘层的致密性较低的问题。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括第一金属层和设于所述第一金属层上的绝缘层;
其中,所述第一金属层包括第一重叠区域,所述第一重叠区域为所述第一金属层和所述绝缘层重叠的区域,所述第一重叠区域包括至少一个镂空区域。
在一实施例中,所述至少一个镂空区域中其中一个镂空区域的形状为矩形、圆形或者锯齿形。
在一实施例中,所述至少一个镂空区域包括多个镂空区域,所述多个镂空区域阵列排布或者所述多个镂空区域平行排布。
在一实施例中,所述绝缘层包括:
多个绝缘部,所述多个绝缘部间隔设置;
所述第一重叠区域包括:
多个第一子重叠区域,所述多个第一子重叠区域为所述第一金属层和所述绝缘层重叠的多个区域,所述多个第一子重叠区域中每一个第一子重叠区域包括至少一个镂空区域。
在一实施例中,所述第一金属层还包括:
多个第一连接区域,所述多个第一子重叠区域中相邻的两个第一子重叠区域之间包括一个第一连接区域,所述第一连接区域连接对应的两个第一子重叠区域。
在一实施例中,所述第一连接区域为连续的区域。
在一实施例中,所述第一连接区域的宽度大于对应的两个第一子重叠区域的宽度。
在一实施例中,所述显示面板还包括:
第二金属层,所述第二金属层设于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层包括第二重叠区域,所述第二重叠区域为所述第二金属层和所述绝缘层重叠的区域,所述第二重叠区域包括至少一个镂空区域。
本发明实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括任一如上所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的