[发明专利]非易失性存储器及其电压校准方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的电压校准方法，所述非易失性存储器包括多个存储单元以及用于控制所述多个存储单元的操作的内部控制电路，所述方法包括：

由所述内部控制电路将接收到的数据写入到所述多个存储单元中；

由所述内部控制电路，通过目标电压读取所述多个存储单元中的所述数据而获得目标误码率，所述目标电压是从多个电压中依次选出的；以及

由所述内部控制电路将多个误码率中最小的误码率所对应的电压确定为读取电压，其中所述目标误码率是所述多个误码率中的一个。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个误码率包括第一误码率和第二误码率，获得目标误码率的步骤包括：

基于第一电压读取所述多个存储单元中的所述数据，获得所读取的数据的第一误码率；以及

基于比所述第一电压大的第二电压读取所述多个存储单元中的所述数据，获得所读取的数据的第二误码率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将多个误码率中最小的误码率所对应的电压确定为读取电压的步骤包括：

如果所述第二误码率小于所述第一误码率，则：

将所述第二误码率作为更新的第一误码率，以及将所述第二电压作为更新的第一电压；

将大于更新的第一电压的第三电压作为更新的第二电压，以及基于更新的第二电压读取所述多个存储单元中的所述数据，将所读取的数据的误码率作为更新的第二误码率；

依次循环上述步骤，直到更新的第二误码率大于更新的第一误码率；

将更新的第一电压确定为所述读取电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将多个误码率中最小的误码率所对应的电压确定为读取电压的步骤还包括：

如果所述第二误码率大于所述第一误码率，则：

将所述第一电压作为更新的第二电压，以及将所述第一误码率作为更新的第二误码率；

将小于更新的第二电压的第四电压作为更新的第一电压，以及基于更新的第一电压读取所述多个存储单元中的所述数据，将所读取的数据的误码率作为更新的第一误码率；

依次循环上述步骤，直到更新的第二误码率小于更新的第一误码率；

将更新的第二电压确定为所述读取电压。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所确定的读取电压为具有八种存储状态的TLC非易失性存储器的7个读取电压中的任意一个。

6.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，由所述内部控制电路确定出所述第二电压。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于第一电压读取所述多个存储单元中的所述数据，获得所读取的数据的第一误码率的步骤包括：

基于所述第一电压对所述多个存储单元执行读取操作，获得所读取的数据；

将写入到所述多个存储单元中的所述数据与所述所读取的数据进行比较，通过统计比较结果来获得所述第一误码率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，基于所述第二电压读取所述多个存储单元中的所述数据，获得所读取的数据的第二误码率的步骤包括：

基于所述第二电压对所述多个存储单元执行读取操作，获得所读取的数据；

将写入到所述多个存储单元中的所述数据与所述所读取的数据进行比较，通过统计比较结果来获得所述第二误码率。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二电压比所述第一电压大0.01V。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将确定出的所述读取电压返回给所述非易失性存储器外部的存储器控制器。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述非易失性存储器的空闲阶段定期地执行。