[发明专利]封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110006782.X 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN114715834A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 吴金能 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;叶明川
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

一基板,具有一凹口;

一第一微机电系统芯片,形成于所述基板上,其中所述第一微机电系统芯片具有一基板穿孔,所述第一微机电系统芯片的一下表面具有一第一感测器或一微致动器,且所述第一感测器或所述微致动器位于所述凹口中;

一第一中间芯片,形成于所述第一微机电系统芯片上,其中所述第一中间芯片具有一基板穿孔,且所述第一中间芯片包括一信号转换单元、一逻辑运算单元、一控制单元或上述的组合;

一第二微机电系统芯片,形成于所述第一中间芯片上,其中所述第二微机电系统芯片具有一基板穿孔,所述第二微机电系统芯片的一上表面具有一第二感测器或一微致动器,且所述封装结构包括所述第一感测器及所述第二感测器中的至少一者;以及

一第一盖板,形成于所述第二微机电系统芯片上,其中所述第一盖板提供一容置空间,且位于所述第二微机电系统芯片的所述上表面上的所述第二感测器或所述微致动器位于所述容置空间中。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:

一第二中间芯片,形成于所述第一微机电系统芯片与所述第二微机电系统芯片之间,其中所述第二中间芯片具有一基板穿孔,且其中所述第二中间芯片包括一存储单元、一天线单元或上述的组合。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,还包括:

一第三中间芯片,形成于所述第一微机电系统芯片与所述第二微机电系统芯片之间,其中所述第三中间芯片具有一基板穿孔,且其中所述第三中间芯片包括一存储单元、一天线单元或上述的组合。

4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第三中间芯片与所述第二中间芯片水平排列。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第二中间芯片与所述第一中间芯片水平排列。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第二中间芯片形成于所述第一微机电系统芯片与所述第一中间芯片之间。

7.根据权利要求2至4中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第二中间芯片形成于所述第二微机电系统芯片与所述第一中间芯片之间。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的封装结构,其特征在于,还包括:

一第三微机电系统芯片,形成于所述第一中间芯片上,并且与所述第二微机电系统芯片水平排列,其中所述第三微机电系统芯片的一上表面具有一第三感测器或一微致动器;以及

一第二盖板,形成于所述第三微机电系统芯片上,其中位于所述第三微机电系统芯片的所述上表面上的所述第三感测器或所述微致动器位于所述第二盖板所提供的一容置空间中。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的封装结构,其特征在于,还包括:

一第三微机电系统芯片,形成于所述第一中间芯片与所述第二微机电系统芯片之间,其中所述第三微机电系统芯片的一上表面具有一第三感测器或一微致动器;以及

一第二盖板,形成于所述第三微机电系统芯片上,其中位于所述第三微机电系统芯片的所述上表面上的所述第三感测器或所述微致动器位于所述第二盖板所提供的一容置空间中。

10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述第二盖板的侧壁具有一开口。

11.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:

一第一重分布层,形成于所述第一微机电系统芯片与所述第一中间芯片之间;

一第二重分布层,形成于所述第一中间芯片与所述第二微机电系统芯片之间;以及

一填充介质,形成于所述凹口及所述容置空间中的至少一者之中。

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