[发明专利]电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法

说明书

电子部件的清洁方法具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。据此，能在减少给电子部件带来的伤害的同时清洁侧壁。

技术领域

本发明涉及电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法。

背景技术

作为从基板制造元件芯片的切割(dicing)法，提出利用了刀具的刀具切割法、利用了激光的激光切割法、隐形切割(Stealth Dicing)法、利用了等离子的等离子切割法等。这当中，等离子切割法作为给基板的机械伤害少且抑制了器件特性降低的施工方法正在推进开发(例如专利文献1以及2)。在等离子切割法中，有时会使用被称作博世(Bosch)工艺的手法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特表2014-513868号公报

专利文献2：JP特开2016-146395号公报

发明内容

发明要解决的课题

博世工艺是如下那样的方法：通过对划定基板的元件区域的切割道(分割区域)重复进行交替包含基于氟系气体的等离子的蚀刻步骤和基于氟化碳气体的等离子的膜沉积步骤在内的循环，来形成与切割道对应的槽，并推进挖掘。通过该方法，能形成高纵横比的槽。但在所形成的槽的内壁，即，在所得到的元件芯片的侧壁，易于附着以氟碳化合物为主体的聚合物。进而，还有时会在上述聚合物内包含氟原子。槽的纵横比越高，上述聚合物越易于附着。

所得到的元件芯片在拾取后被供给到封装工序。在聚合物附着于侧壁的情况下，在拾取时聚合物会剥落而成为污染的原因，或者，在封装工序中，密封树脂与元件芯片的紧贴性会降低。进而，聚合物中所含的氟原子易于移动，这会成为使器件的可靠性降低的原因。

为了减少上述聚合物的附着量，将博世工艺的条件最优化即可。博世工艺的条件的最优值对应于所期望的元件芯片的尺寸、分割区域的宽度、槽的深度等而不同。因此，每当变更上述数值，就需要将博世工艺的条件最优化，该方法易于损害生产率。

上述聚合物还通过博世工艺之后进行的灰化(ashing)处理来去除。灰化处理为了去除设于元件芯片的表面的保护膜(掩模)而进行，其中该保护膜(掩模)为了保护元件区域而设。在灰化处理中，通常使用利用氧气产生的等离子。元件芯片的表面易于暴露于等离子，另一方面，其侧壁难以暴露于等离子。因此，若按去除侧壁的附着物的程度来进行灰化处理，则保护膜就会被过剩地去除，从而元件区域有时会受到伤害。

除此以外，还有通过药液去除上述聚合物的方法。但若使用药液，则工序管理就会变得烦杂，需要进行废液的处理，从而花费大的成本。如以上那样，谋求通过更简单且工艺窗口宽的手法来去除附着于元件芯片的侧壁的聚合物的方法。

用于解决课题的手段

本发明的一个方面涉及一种电子部件的清洁方法，具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。