[发明专利]电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法

权利要求书

1.一种电子部件的清洁方法，具备：

准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和

侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，

所述侧壁清洁工序具备：

沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和

去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，

在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。

2.根据权利要求1所述的电子部件的清洁方法，其中，

进行所述侧壁清洁工序，以使得所述沉积工序中所述第1膜沉积于所述侧壁的表面的速度RD2相对于所述第1膜沉积于所述保护膜的表面的速度RD1的比RD2/RD1、和所述去除工序中去除附着于所述侧壁的所述第1膜的速度RR2相对于去除所述保护膜的表面的所述第1膜的速度RR1的比RR2/RR1满足RR2/RR1＞RD2/RD1的关系。

3.根据权利要求2所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述侧壁清洁工序在等离子处理装置的处理室内进行，

所述沉积工序中的所述处理室的压力PD1和所述去除工序中的所述处理室的压力PR1满足PD1＜PR1的关系。

4.根据权利要求2或3所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述侧壁清洁工序使用等离子处理装置来进行，其中所述等离子处理装置具备：

载台，其载置所述电子部件；

第1电极，其配置成与所述载台对置；和

第2电极，其内置于所述载台，

所述沉积工序中对所述第2电极施加的高频功率PD2和所述去除工序中对所述第2电极施加的高频功率PR2满足PD2≤PR2的关系。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件的清洁方法，其中，

在所述侧壁清洁工序中，处理多个所述电子部件，

任意的2个所述电子部件的对置的所述侧壁彼此的距离W和任意一方所述电子部件的该侧壁的高度H满足H≥5×W的关系。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述电子部件的准备工序具备：

基板准备工序，准备具备多个元件区域以及划定所述元件区域的分割区域并且具有所述第1面以及所述第2面的基板；

保护膜形成工序，在所述第1面形成所述保护膜；

开口形成工序，在所述保护膜形成开口，来露出所述第1面中的所述分割区域；和

蚀刻工序，重复进行包含通过等离子处理来形成与露出的所述分割区域对应的凹部的第1步骤、以及通过等离子处理在所述凹部的内壁沉积第2膜的第2步骤在内的循环。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述电子部件的清洁方法具备：

保护膜去除工序，在最后的所述去除工序后，去除所述保护膜。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述第1等离子利用包含碳原子的工艺气体产生。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子部件的清洁方法，其中，

所述第2等离子利用包含氧原子的工艺气体产生。