[发明专利]具有架构基板的弯曲的成像传感器封装在审
| 申请号: | 202080094633.7 | 申请日: | 2020-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN115398625A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 马克·欧玛斯塔;雅各·亨德利;艾利克·克拉夫;克里斯多福·罗普耳;吉欧佛瑞·麦奈特 | 申请(专利权)人: | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 谢琼慧;秦小耕 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 架构 弯曲 成像 传感器 封装 | ||
1.一种成像传感器封装(100),包括:
成像传感器(10);以及
耦合到所述成像传感器(10)的底表面的架构基板(20),所述架构基板沿着所述架构基板的平面内方向具有局部刚度变化,
其中,所述成像传感器与所述架构基板是弯曲的。
2.根据权利要求1所述的成像传感器封装,其中所述成像传感器(10)包括布置在读出集成电路(11)和抗反射涂层(13)之间的检测器(12)。
3.根据权利要求2所述的成像传感器封装,其中所述成像传感器(10)和所述架构基板(20)是球形弯曲的。
4.根据权利要求3所述的成像传感器封装,其中所述架构基板(20)沿着其平面内方向具有厚度变化。
5.根据权利要求4所述的成像传感器封装,其中所述架构基板(20)具有多个不连续部分。
6.根据权利要求3所述的成像传感器封装,其中所述架构基板(20)包括多个夹层板(21.1,21.3),在所述夹层板之间具有芯(21.2)。
7.根据权利要求6所述的成像传感器封装,其中所述芯(21.2)包括在所述夹层板(21.1、21.3)之间延伸的多个芯构件。
8.根据权利要求7所述的成像传感器封装,其中所述芯构件(21.2)布置成棱柱、栅格或随机形式。
9.根据权利要求7所述的成像传感器封装,其中所述夹层板中的最外面一个(21.1)具有在其中的开口(21.4)。
10.根据权利要求9所述的成像传感器封装,其中所述夹层板中的最里面一个(21.3)沿着所述成像传感器(10)的所述底表面是连续的。
11.一种弯曲的成像传感器封装(100),包括:
弯曲的成像传感器(10),包括检测器(12)和在所述检测器(12)下方的读出集成电路(11),所述检测器(12)包括彼此间隔开的多个光检测元件;以及
弯曲的架构基板(20),其耦合到所述读出集成电路(11)的与所述检测器(12)相对的表面,所述架构基板(20)沿着所述架构基板(20)的平面内方向具有局部刚度变化。
12.根据权利要求11所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述成像传感器(10)是褶皱的,并且
其中,所述褶皱的波长小于所述光检测元件的间距。
13.根据权利要求12所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述褶皱的波长小于所述光检测元件的尺寸。
14.根据权利要求12所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述褶皱的幅度小于所述光检测元件的间距的两倍。
15.根据权利要求11所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述架构基板(20)包括多种不同的材料。
16.根据权利要求15所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述不同的材料以层彼此堆叠。
17.根据权利要求15所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述不同的材料在所述平面内方向上彼此相邻。
18.根据权利要求15所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述材料在所述架构基板的一部分处混合在一起。
19.根据权利要求15所述的弯曲的成像传感器封装,其中所述材料包括铝、铜、镍、铁、因瓦合金、钢、钛、钼、钨和/或铋。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





