[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法

说明书

根据本公开的实施方式的显示装置可以包括：衬底，包括显示区域和围绕显示区域的至少一侧的非显示区域，显示区域包括各自具有发射区域的多个像素区域；以及像素，设置在多个像素区域中的每个中并且包括显示元件部。显示元件部可以包括：第一绝缘层，设置在衬底上；至少一个发光元件，设置在第一绝缘层上并且各自在纵向方向上具有第一端部和第二端部；第一层，设置在第一绝缘层和发光元件上并且与发光元件的第一端部和第二端部中的每个的第一区域接触；第二层，设置在发光元件上并且与发光元件的第一端部和第二端部中的每个的第二区域接触；以及层间绝缘层，设置在第一层与第二层之间。这里，第一层和第二层可以包括半导体材料。

技术领域

本公开涉及显示装置及制造显示装置的方法。

背景技术

随着对信息显示的兴趣的增加以及对使用便携式信息媒介的需求的增加，对显示装置的需求和商业化受到关注。

发明内容

技术问题

本公开的目的是提供具有提高的光输出效率的显示装置。

此外，本公开的目的是提供制造以上描述的显示装置的方法。

技术方案

根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：衬底，包括显示区域和围绕显示区域的至少一侧的非显示区域，显示区域包括各自具有发射区域的多个像素区域；以及像素，设置在多个像素区域中的每个中并且包括显示元件部。

在本公开的实施方式中，显示元件部可以包括：第一绝缘层，设置在衬底上；至少一个发光元件，设置在第一绝缘层上并且各自在纵向方向上具有第一端部和第二端部；第一层，设置在第一绝缘层和发光元件上并且与发光元件的第一端部和第二端部中的每个的第一区域接触；第二层，设置在发光元件上并且与发光元件的第一端部和第二端部中的每个的第二区域接触；以及层间绝缘层，设置在第一层与第二层之间。这里，第一层和第二层可以包括半导体材料。

在本公开的实施方式中，发光元件可以包括：第一半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；第二半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间。这里，第一半导体层和第二半导体层中的每个可以包括氮化镓(GaN)半导体材料。

在本公开的实施方式中，第一导电掺杂剂可以包括n型掺杂剂，且第二导电掺杂剂可以包括p型掺杂剂。

在本公开的实施方式中，发光元件的第一端部可以包括第一半导体层，且发光元件的第二端部可以包括第二半导体层。

在本公开的实施方式中，第一层可以包括p型氢化非晶硅(a-Si：H)半导体材料，且第二层可以包括透明氧化物半导体材料。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括：第一电力线，设置在衬底与第一绝缘层之间并且电连接到第一层；以及第二电力线，设置在衬底与第一绝缘层之间，与第一电力线间隔开，并且电连接到第二层。

在本公开的实施方式中，第一层可以是从第一电力线接收第一电力并且将空穴注入到发光元件的第二端部的第一区域中的空穴注入层，且第二层可以是从第二电力线接收第二电力并且将电子注入到发光元件的第一端部的第二区域中的电子注入层。

在本公开的实施方式中，层间绝缘层可以定位在发光元件的第一端部和第二端部中的每个的第一区域与第二区域之间。

在本公开的实施方式中，发光元件的第一端部的与第一层接触的第一区域和发光元件的第一端部的与第二层接触的第二区域可以具有相同的宽度或不同的宽度。

在本公开的实施方式中，发光元件的第一端部的与第二层接触的第二区域和发光元件的第二端部的与第二层接触的第二区域可以具有相同的宽度或不同的宽度。