[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法在审
| 申请号: | 202080094109.X | 申请日: | 2020-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN115004373A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 辛在敏;金相佑;尹章烈;朴京淳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L33/00;H01L33/02;H01L25/10 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.显示装置,包括:
衬底,包括显示区域和围绕所述显示区域的至少一侧的非显示区域,所述显示区域包括各自具有发射区域的多个像素区域;以及
像素,设置在所述多个像素区域中的每个中并且包括显示元件部,
其中,所述显示元件部包括:
第一绝缘层,设置在所述衬底上;
至少一个发光元件,设置在所述第一绝缘层上并且各自在纵向方向上具有第一端部和第二端部;
第一层,设置在所述第一绝缘层和所述发光元件上并且与所述发光元件的所述第一端部和所述第二端部中的每个的第一区域接触;
第二层,设置在所述发光元件上并且与所述发光元件的所述第一端部和所述第二端部中的每个的第二区域接触;以及
层间绝缘层,设置在所述第一层与所述第二层之间,以及
所述第一层和所述第二层包括半导体材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件包括:
第一半导体层,掺杂有第一导电掺杂剂;
第二半导体层,掺杂有第二导电掺杂剂;以及
有源层,设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,以及
所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每个包括氮化镓(GaN)半导体材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一导电掺杂剂包括n型掺杂剂,且所述第二导电掺杂剂包括p型掺杂剂。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述第一端部包括所述第一半导体层,且所述发光元件的所述第二端部包括所述第二半导体层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一层包括p型氢化非晶硅(a-Si:H)半导体材料,且所述第二层包括透明氧化物半导体材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
第一电力线,设置在所述衬底与所述第一绝缘层之间并且电连接到所述第一层;以及
第二电力线,设置在所述衬底与所述第一绝缘层之间,与所述第一电力线间隔开,并且电连接到所述第二层。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一层是从所述第一电力线接收第一电力并且将空穴注入到所述发光元件的所述第二端部的所述第一区域中的空穴注入层,以及
所述第二层是从所述第二电力线接收第二电力并且将电子注入到所述发光元件的所述第一端部的所述第二区域中的电子注入层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述层间绝缘层定位在所述发光元件的所述第一端部和所述第二端部中的每个的所述第一区域与所述第二区域之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述第一端部的与所述第一层接触的所述第一区域和所述发光元件的所述第一端部的与所述第二层接触的所述第二区域具有相同的宽度或不同的宽度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述第一端部的与所述第二层接触的所述第二区域和所述发光元件的所述第二端部的与所述第二层接触的所述第二区域具有相同的宽度或不同的宽度。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述显示元件部还包括:
第一导电线,设置在所述衬底与所述第一绝缘层之间;
第二绝缘层,设置在所述第二层上;以及
第二导电线,设置在所述第二绝缘层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,不同的电压分别施加到所述第一导电线和所述第二导电线,并且在与所述发光元件的所述纵向方向交叉的方向上形成电场。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第二导电线包括透明导电材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





