[发明专利]陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法

权利要求书

1.陶瓷基板，其为俯视下呈矩形的陶瓷基板，

在将由该陶瓷基板的一对对角线形成的交叉点作为所述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由所述一对对角线划分出的4个区域中，隔着所述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较所述交叉点更靠所述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较所述交叉点更靠所述板厚方向的另一侧的位置，

所述陶瓷基板的所述板厚方向的最大凸量除以所述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

2.陶瓷基板，其为俯视下呈矩形的陶瓷基板，

对于被在该陶瓷基板的俯视下从该陶瓷基板的中心通过且与四边中的任意一边平行的第1直线切割出的第1切割面而言，其长度方向的中央部分朝向板厚方向的一侧弯曲成凸状，

对于被从所述中心通过且与所述第1直线正交的第2直线切割出的第2切割面而言，其长度方向的中央部分朝向所述板厚方向的另一侧弯曲成凸状，

所述陶瓷基板的所述板厚方向的最大凸量除以所述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

3.如权利要求2所述的陶瓷基板，其中，对于从所述中心至沿着所述第1直线的方向上的所述陶瓷基板的两端范围内的各位置的、与所述第1切割面平行的第1平行切割面而言，各自的长度方向的中央部分朝向所述板厚方向的一侧弯曲成凸状，

所述各位置的所述第1平行切割面的曲率在从所述中心至沿着所述第2直线的方向上的所述陶瓷基板的两端的范围内连续地变大。

4.如权利要求2或3所述的陶瓷基板，其中，对于从所述中心至沿着所述第2直线的方向上的所述陶瓷基板的两端范围内的各位置的、与所述第2切割面平行的第2平行切割面而言，各自的长度方向的中央部分朝向所述板厚方向的另一侧弯曲成凸状，

所述各位置的所述第2平行切割面的曲率在从所述中心至沿着所述第1直线的方向上的所述陶瓷基板的两端的范围内连续地变小。

5.如权利要求2～4中任一项所述的陶瓷基板，其中，在所述板厚方向上，具有以所述第1直线为对称线而成为线对称的立体形状。

6.如权利要求2～5中任一项所述的陶瓷基板，其中，在所述板厚方向上，具有以所述第2直线为对称线而成为线对称的立体形状。

7.如权利要求1～6中任一项所述的陶瓷基板，其包含氮化硅或氮化铝。

8.复合基板，其具备：

权利要求1～7中任一项所述的陶瓷基板；

固定于所述陶瓷基板的表面侧的第1金属层；和

固定于所述陶瓷基板的背面侧的第2金属层。

9.电路基板，其具备：

权利要求1～7中任一项所述的陶瓷基板；

形成于所述陶瓷基板的一面侧的电路图案；和

固定于所述陶瓷基板的另一面侧的金属层。

10.权利要求1～7中任一项所述的陶瓷基板的制造方法，其包括：

带状生片的切割工序，将包含陶瓷粉末的带状生片切割而得到单张生片；

烧结工序，将所述单张生片配置于烧成室内，对所述烧成室内进行加热，直至所述烧成室内的温度成为至少1600℃以上，然后将所述烧成室内冷却，使所述单张生片烧结而得到所述陶瓷基板；和

陶瓷基板的切割工序，将所述烧结工序之后冷却了的所述陶瓷基板的全周缘切割，

在所述烧结工序中，在所述烧成室内的冷却时所述烧成室内的温度为900℃以上1100℃以下的温度的情况下，将所述烧成室内的温度骤冷，

在所述陶瓷基板的切割工序中，将所述全周缘切掉至少3mm的宽度。

11.如权利要求10所述的陶瓷基板的制造方法，其中，所述陶瓷粉末包含氮化硅粉末或氮化铝粉末。