[发明专利]用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法

说明书

本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张名叫杨晓春(Xiaochun Yang)、维克拉姆·托拉尼(Vikram Tolani)及张尧(Yao Zhang)的发明者在2019年10月10日申请的标题为“极紫外光掩模坯料缺陷优化的快速方法(FAST METHOD FOR EXTREME ULTRAVIOLET PHOTOMASK BLANK DEFECTOPTIMIZATION)”的第62/913,659号美国临时申请案的优先权，所述案的全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及用于光刻系统中的图案掩模且更特定来说，涉及一种用于使用成本函数减少EUV图案掩模上的可印缺陷的系统及方法。

背景技术

极紫外光刻(EUVL)仍是用于下一代光刻的领先技术。然而，EUVL面临的一个关键挑战是掩模坯料缺陷率。EUV掩模是包含钼及硅的若干交替层的布拉格(Bragg)反射器。设计图案以吸收层的形式放置于此多层反射器的顶部上。在掩模坯料的制造期间形成的掩模坯料缺陷显著更改打印于掩模坯料上的随后在EUVL期间被转印到样本上的设计图案。修复这些缺陷是具有挑战性的，这是因为缺陷掩埋在EUV掩模坯料的多层下方。用于大批量制造的EUVL的实施方案需要半导体产业克服这些挑战，然而，当前不存在可用于制造无缺陷掩模坯料的可行解决方案且无用于修复掩埋缺陷的具成本效益的工具。因此，将可期望提供一种解决上文识别的先前方法的缺点的系统及方法。

发明内容

根据本公开的一或多个实施例，公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。在一个实施例中，所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检验以产生所述掩模坯料中的一或多个缺陷的缺陷图；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的缺陷暴露面积，所述第二特性包括缺陷区域内的设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。

根据本公开的一或多个实施例，公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。在一个实施例中，所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检验以产生所述掩模坯料中的一或多个缺陷的缺陷图；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的缺陷暴露面积，所述第二特性包括缺陷区域内的设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；确定指示所述掩模坯料对于所述设计图案的良好程度的一或多个度量；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值或指示所述掩模坯料对于所述设计图案的良好程度的所述一或多个度量中的至少一者产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。