[发明专利]发光二极管阵列在审
| 申请号: | 202080066179.4 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN114424350A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
| 发明(设计)人: | 王涛 | 申请(专利权)人: | 谢菲尔德大学 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/08;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李佳佳 |
| 地址: | 英国谢*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 阵列 | ||
1.一种制造发光二极管(LED)阵列的方法,所述方法包括:形成三族氮化物材料的半导体层;在所述半导体层上形成介电掩模层,所述介电掩模层具有穿过其的孔的阵列,每个孔使所述半导体层的一区域暴露;以及在每个孔中生长LED结构,其中,所述孔的阵列包括均具有第一截面面积的第一组孔和均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一截面面积比所述第二截面面积大至少1%。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,每个LED结构填充所述LED结构在其中生长的所述孔,使得所述LED结构包括均具有第一截面面积的第一组LED结构以及均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组LED结构。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一组LED结构均布置成发射具有第一峰值波长的光,并且所述第二组LED结构均布置成发射具有不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的光。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述孔的阵列还包括第三组孔,所述第三组孔均具有与所述第一截面面积和所述第二截面面积不同的第三截面面积。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述LED结构的阵列包括生长在所述第三组孔中的第三组LED结构,并且所述第三组LED结构均布置成发射具有与所述第一峰值波长和所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的光。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述LED结构布置成多个群组,并且所述方法还包括形成多个触点,每个触点连接至所述LED结构的相应的一个群组,从而所述LED结构的每个群组能独立于所述LED结构的其他群组被激活。
8.根据权利要求7所述的方法,当从属于权利要求3或5时,其中,所述LED结构的每个群组包括来自所述LED结构的每个组的至少一个LED结构。
9.根据权利要求7所述的方法,当从属于权利要求3或5时,其中,所述LED结构的每个群组仅包括来自所述LED结构的一个组的LED结构。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,每组孔均布置成规则的阵列。
11.一种LED阵列,包括:半导体层;介电层,在所述半导体层上延伸并且具有穿过所述介电层延伸的LED结构的阵列,其中,所述LED结构包括均具有第一截面面积的第一组LED结构和均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组LED结构。
12.根据权利要求11所述的LED阵列,其中,所述第二截面面积比所述第一截面面积大至少1%。
13.根据权利要求11或12所述的LED阵列,其中,每个LED结构形成在穿过所述半导体层的相应的孔中,并且所述孔包括均具有第一截面面积的第一组孔和均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组孔。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的LED阵列,其中,所述第一组LED结构均布置成发射具有第一峰值波长的光,并且所述第二组LED结构均布置成发射具有不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的光。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的LED阵列,其中,所述LED结构还包括第三组LED结构,所述第三组LED结构均具有不同于所述第一截面面积和所述第二截面面积的第三截面面积。
16.根据权利要求15所述的LED阵列,当从属于权利要求14时,其中,所述第三组LED结构均布置成发射具有与所述第一峰值波长和所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的光。
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