[发明专利]检测装置在审
申请号: | 202080062920.X | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN114342082A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 多田正浩;中村卓;泷本昭雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
1.一种检测装置,其具备:
基板;
多个第1光传感器,其设于所述基板的检测区域,包括具有光伏效应的有机材料层;以及
至少一个以上的第2光传感器,其设于所述基板,包括具有光伏效应的无机材料层。
2.根据权利要求1所述的检测装置,其中,
多个所述第1光传感器在所述检测区域呈矩阵状排列,
所述第2光传感器在所述基板的周边区域配置有一个。
3.根据权利要求1所述的检测装置,其中,
具有多个所述第2光传感器,
多个所述第1光传感器在所述检测区域呈矩阵状排列,
多个所述第2光传感器设在所述基板的周边区域,且沿所述检测区域的至少一边排列。
4.根据权利要求1所述的检测装置,其中,
具有多个所述第2光传感器,
所述第1光传感器以及所述第2光传感器在所述检测区域中沿第1方向交替排列。
5.根据权利要求1所述的检测装置,其中,
所述第2光传感器设在所述检测区域,
多个所述第1光传感器与一个所述第2光传感器重叠设置。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的检测装置,其中,
所述无机材料层为由非晶硅构成的无机半导体层。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的检测装置,其中,
具有对多个所述第1光传感器以及所述第2光传感器的检测进行控制的控制电路,
所述控制电路基于从所述第1光传感器输出的第1检测信号与从所述第2光传感器输出的第2检测信号的差分的信号的变化,对多个所述第1光传感器的检测进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的