[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。

技术领域

本发明涉及基板处理方法及基板处理装置，尤其涉及使用臭氧水的基板处理方法、以及用于该基板处理方法的基板处理装置。

背景技术

在晶圆(基板)上使用抗蚀剂膜的步骤被执行后，在多数的情形下，该抗蚀剂膜会从基板上被去除。尤其，由于作为离子注入步骤用的注入掩膜所使用的抗蚀剂膜不易被去除，因此一般会使用具有较强作用的洗涤液。作为具有较强作用的洗涤液，从过去以来广泛地已知有例如硫酸/过氧化氢水/混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM)。然而，由于废液处理的负担很大等，近年来期望不使用SPM的基板处理方法。

日本专利特开2008-311591号公报公开有一种基板处理方法，其不使用硫酸等环境负荷较大的药剂，而使基板浸渍于臭氧水中来去除残留于基板表面上的残留有机物。该方法的目的在于提升附着于基板上的残留有机物的去除处理的效率。具体而言，将在加热装置中被预先加热的臭氧水供给至密闭的基板处理槽，并设为比大气压高的高压状态。

先前技术文献

专利文献1：日本专利特开2008-311591号公报

发明内容

发明所要解决的问题

根据上述公报所记载的技术，在基板处理槽内，臭氧水接触到基板的位置是臭氧水的使用点(POU：Point of Use)。根据该技术，臭氧水在到达使用点之前，在加热装置被预先加热。因此，臭氧水不仅在位于使用点时处于高温状态，就连从加热装置至到达使用点为止的期间也处于高温状态。根据本发明人等的研究，在该情形时，在臭氧水到达使用点之前，臭氧水的臭氧浓度容易下降。其结果，利用臭氧进行的处理效果会变弱。

本发明是为了解决如上那样的课题而完成的，其目的在于提供能够加强臭氧对基板的作用的基板处理方法。

解决问题的技术手段

第1方式是一种基板处理方法，其具备：保持具有第1面及与第1面相反的第2面的基板的步骤；在基板的第2面上配置被加压的臭氧水的步骤；以及在用以进行基板的处理的使用点对臭氧水进行加热的步骤。

第2方式是于第1方式的基板处理方法中，对臭氧水进行加热的步骤包含：对基板进行加热的步骤；以及使来自基板的热传导至臭氧水的步骤。

第3方式是于第2方式的基板处理方法中，对基板进行加热的步骤包含从第2面对基板进行加热的步骤。

第4方式是于第2方式的基板处理方法中，对基板进行加热的步骤包含从第1面对基板进行加热的步骤。

第5方式是于第1方式的基板处理方法中，对臭氧水进行加热的步骤包含对具有第1温度的臭氧水混合具有比第1温度高的第2温度的温水的步骤。

第6方式是于第1至第5方式的基板处理方法中，配置臭氧水的步骤包含对被配置于基板的第2面上的臭氧水的压力进行控制的步骤。

第7方式是于第1至第6方式的基板处理方法中，进一步具备：配置压力保持部的步骤，所述压力保持部具有隔开间隔地与基板的第2面的至少一部分相对的相对面；配置臭氧水的步骤包含对基板的第2面的至少一部分与压力保持部的相对面之间供给臭氧水的步骤。

第8方式是于第7方式的基板处理方法中，压力保持部包含：主体部，其隔开间隔而与基板的第2面相对；以及翼部，其被配置于主体部的边缘，从主体部朝向基板的第2面延伸，并与基板的第2面相对。