[发明专利]具有低暗电流的光侦测装置

权利要求书

1.一种光侦测装置，包含：

一光侦测组件，其包含：

一载子导通层，其具有一第一表面及相对于所述第一表面的一第二表面；

一吸收区，其接触所述载子导通层，且配置以接收一光信号并且响应于所述光信号产生多个光载子；

其中，所述吸收区掺杂具有一第一导电类型及一第一峰值掺杂浓度的一第一掺杂物；

其中，所述载子导通层掺杂具有一第二导电类型及一第二峰值掺杂浓度的一第二掺杂物；

其中，所述载子导通层包含与所述吸收区的一材料不同的一材料；

其中，所述载子导通层与所述吸收区接触以形成至少一异质界面；

其中，所述吸收区的所述第一峰值掺杂浓度与所述载子导通层的所述第二峰值掺杂浓度间的一比例等于或大于10；及

一第一电极，其形成在所述载子导通层的所述第一表面之上，且电耦合至所述载子导通层，其中，所述第一电极与所述吸收区分离，其中，所述第一电极配置以收集所述多个光载子的一部分；及

一第二电极，其形成在所述载子导通层的所述第一表面之上，且电耦合至所述吸收区；

其中，所述吸收区包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面、及在所述第一表面与所述第二表面间的一或多个侧表面，其中，所述第一电极与所述吸收区的所述一或多个侧表面间的一最近距离在0.1μm与20μm之间。

2.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述载子导通层包含与所述吸收区分离的一第一掺杂区，其中，所述第一掺杂区具有与所述吸收区的所述导电类型不同的一导电类型，其中，所述第一掺杂区掺杂具有高于所述第二峰值掺杂浓度的一第三峰值掺杂浓度的一第三掺杂物，且其中，所述第一电极电耦合至所述第一掺杂区。

3.如权利要求2所述的光侦测装置，其中，所述载子导通层包含具有所述第二掺杂物的一导通区，其中所述导通区具有小于5μm的一深度，且其中，所述导通区形成于所述第一掺杂区与所述吸收区之间，以自所述吸收区传输所述光载子的一部分至所述第一掺杂区。

4.如权利要求3所述的光侦测装置，其中，所述载子导通层是一基底，且所述吸收区的至少一部分嵌入于所述基底。

5.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述吸收区掺杂有一渐变的掺杂曲线。

6.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述吸收区的至少50％掺杂有一掺杂浓度等于或大于1×10¹⁶cm^-3的所述第一掺杂物。

7.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述第一掺杂物在所述吸收区与所述载子导通层间的所述异质界面的一掺杂浓度等于或大于1×10¹⁶cm^-3。

8.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述第一掺杂物的所述第一导电类型与所述第二掺杂物的所述第二导电类型不同，且其中，在所述异质界面，所述吸收区的一掺杂浓度对所述载子导通层的一掺杂浓度的一比例等于或大于10。

9.如权利要求1所述的光侦测装置，还包含一第二掺杂区，其在所述载子导通层中，并与所述吸收区接触，其中所述第二掺杂区掺杂一第四掺杂物，所述第四掺杂物具有与所述第一导电类型相同的一导电类型，并具有高于所述第一峰值掺杂浓度的一第四峰值掺杂浓度，且其中，所述第二电极电耦合至所述第二掺杂区。

10.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述载子导通层还包含一波导，其配置以导引及限制所述光信号通过所述载子导通层的一定义区，以耦接所述光信号至所述吸收区。