[发明专利]单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂用树脂，所述光致抗蚀剂用树脂包含下述式(Y)所示的聚合单元，

[化学式1]

式中，R^h表示卤素原子或具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基，R¹是与环键合的取代基，表示卤素原子、任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基、羟基部分任选地被保护基团保护且任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的羟基烷基、任选地形成盐的羧基、或取代氧基羰基，A表示碳原子数1～6的亚烷基、氧原子、硫原子、或未键合，m为R¹的个数，表示0～8的整数，X表示吸电子取代基，n为X的个数，表示1～9的整数，B表示单键或连接基团，与聚合物链键合的COOB-基的立体位置任选地为内型、外型之一。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂用树脂，其中，

所述光致抗蚀剂用树脂还包含选自由下述式(a1)～(a4)所示的聚合单元构成的组中的至少一种聚合单元，

[化学式2]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基，A表示单键或连接基团，R²～R⁴相同或不同，表示任选地具有取代基的碳原子数1～6的烷基，需要说明的是，R²和R³任选地彼此键合而形成环，R⁵、R⁶相同或不同，表示氢原子或任选地具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R⁷表示-COOR^c基，所述R^c表示任选地具有取代基的叔烃基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、或氧杂环庚烷基，n表示1～3的整数，R^a是与环Z¹键合的取代基，相同或不同，表示氧代基、烷基、任选地被保护基团保护的羟基、任选地被保护基团保护的羟基烷基、或任选地被保护基团保护的羧基，p表示0～3的整数，环Z¹表示碳原子数3～20的脂环族烃环。

3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂用树脂，其中，

所述光致抗蚀剂用树脂还包含选自由下述式(b1)～(b5)所示的聚合单元构成的组中的至少一种聚合单元，其中，符合式(Y)所示的聚合单元的部分除外，

[化学式3]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基，A表示单键或连接基团，X表示未键合、亚甲基、亚乙基、氧原子、或硫原子，Y表示亚甲基、或羰基，Z表示二价有机基团，V¹～V³相同或不同，表示-CH₂-、[-C(＝O)-]、或[-C(＝O)-O-]，其中，V¹～V³中的至少一个为[-C(＝O)-O-]，R⁸～R¹⁴相同或不同，表示氢原子、氟原子、任选地具有氟原子的烷基、任选地被保护基团保护的羟基、任选地被保护基团保护的羟基烷基、任选地被保护基团保护的羧基、或氰基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光致抗蚀剂用树脂，其中，

所述光致抗蚀剂用树脂还包含下述式(c1)所示的聚合单元，

[化学式4]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基，A表示单键或连接基团，R^b表示任选地被保护基团保护的羟基、任选地被保护基团保护的羟基烷基、任选地被保护基团保护的羧基、或氰基，q表示1～5的整数，环Z²表示碳原子数6～20的脂环族烃环。

5.一种光致抗蚀剂用树脂组合物，所述光致抗蚀剂用树脂组合物至少含有权利要求1～4中任一项所述的光致抗蚀剂用树脂和放射线敏感性酸产生剂。

6.一种图案形成方法，所述图案形成方法至少包括如下工序：将权利要求5所述的光致抗蚀剂用树脂组合物涂布于基板而形成涂膜，对所述涂膜进行曝光，接着进行碱溶解。

7.一种单体，所述单体由下述式(X)表示，

[化学式5]

式中，R^h表示卤素原子或具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基，R¹是与环键合的取代基，表示卤素原子、任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基、羟基部分任选地被保护基团保护且任选地具有卤素原子的碳原子数1～6的羟基烷基、任选地形成盐的羧基、或取代氧基羰基，A表示碳原子数1～6的亚烷基、氧原子、硫原子、或未键合，m为R¹的个数，表示0～8的整数，X表示吸电子取代基，n为X的个数，表示1～9的整数，B表示单键或连接基团，CH₂＝C(R^h)COOB-基的立体位置任选地为内型、外型之一。