[发明专利]羧酰氟的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080055714.6 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN114206822A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 木村凉;前原涉平;中西晶子 申请(专利权)人: 关东电化工业株式会社
主分类号: C07C53/46 分类号: C07C53/46;C07C53/48;C07C51/58
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 酰氟 制造 方法
【说明书】:

提供:在反应体系中不产生HCl副产物的反应体系、即HCl不与作为产物的羧酰氟形成络合物、且产物的收率得到改善的羧酰氟的制造方法。提供:无需使用光反应装置、特定的氟化氢加成物、且不存在操作工序的复杂化问题的羧酰氟的制造方法。提供:包括使羧酰氯与金属氟化物反应的工序的羧酰氟的制造方法。在该制造方法中,羧酸优选为碳数1~7的羧酸,羧酸优选为被氟取代的羧酸,羧酸优选为三氟乙酸。

技术领域

本发明涉及羧酰氟的制造方法、更详细而言涉及使用金属氟化物的羧酰氟的制造方法、尤其涉及三氟乙酰氟的制造方法。

背景技术

作为羧酰氟的制造方法,以往已知:通过光化学氧化将CF3CHClF等卤代乙烷衍生为羧酰氯,制造三氟乙酰氟(CF3C(O)F)的方法(专利文献1);使酰氯化物与氢氟酸铵盐或有机氮碱的氢氟酸盐的氟化氢加成物反应的方法(专利文献2)等。

然而,专利文献1和2的方法中,在反应体系中产生HCl副产物,HCl与作为产物的CF3C(O)F形成络合物,因此存在游离状态的CF3C(O)F的收率降低这样的问题。另外,专利文献1的方法中,在需要光反应装置这样的设备方面也存在问题。另外,专利文献2的方法中,还存在需要调整特定的氟化氢加成物这样的操作工序的复杂化的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特表2001-504845号公报

专利文献2:日本特表2002-531426号公报

发明内容

发明要解决的问题

因此,本发明的课题在于解决现有羧酰氟的制造方法中的上述问题。

用于解决问题的方案

本发明提供以下内容。

[1]

一种羧酰氟的制造方法,其包括使羧酰氯与金属氟化物反应的工序。

[2]

根据[1]所述的方法,其中,羧酸为碳数1~7的羧酸。

[3]

根据[1]或[2]所述的方法,其中,羧酸为被氟取代的羧酸。

[4]

根据[3]所述的方法,其中,羧酸为全氟羧酸。

[5]

根据[4]所述的方法,其中,羧酸为三氟乙酸。

[6]

根据[1]~[5]中任一项所述的方法,其中,金属氟化物负载于选自由活性炭、氧化铝、沸石、和泡沫金属组成的组中的至少1种载体上。

[7]

根据[1]~[6]中任一项所述的方法,其中,金属氟化物为选自由碱金属氟化物、碱土金属氟化物和过渡金属氟化物组成的组中的至少1种。

[8]

根据[7]所述的方法,其中,碱金属氟化物为选自由锂的氟化物、钠的氟化物、铯的氟化物和钾的氟化物组成的组中的至少1种。

[9]

根据[7]所述的方法,其中,碱土金属氟化物为选自由镁的氟化物、钙的氟化物和钡的氟化物组成的组中的至少1种。

[10]

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