[发明专利]图像显示装置的制造方法以及图像显示装置在审
| 申请号: | 202080043827.4 | 申请日: | 2020-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN113994484A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
| 发明(设计)人: | 秋元肇 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62;G09F9/00;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 显示装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种图像显示装置的制造方法,其特征在于,具有:
准备在第一基板上形成包括发光层的半导体层的基板的工序;
在所述半导体层上形成金属层的工序;
经由所述金属层,将所述半导体层与形成有包括电路元件的电路的第二基板贴合的工序;
对所述半导体层进行加工,形成发光元件的工序;
对所述金属层进行加工,形成第一配线层的工序;
形成覆盖所述发光元件及所述第一配线层的绝缘膜的工序;
形成贯通所述绝缘膜而抵达所述电路的第一通孔的工序;
在所述绝缘膜上形成第二配线层的工序;
将所述第一配线层、所述第二配线层、所述第一通孔、所述发光元件及所述电路元件串联连接的工序。
2.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有在使所述半导体层与所述第二基板贴合后,除去所述第一基板的工序。
3.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,还具有:
在使所述半导体层与所述第二基板贴合前,除去所述第一基板的工序;
在使所述半导体层与所述第二基板贴合前,将第三基板贴付在所述半导体层的工序。
4.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述半导体层从所述第一基板一侧,按照第一导电型的第一半导体层、所述发光层及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层的顺序进行层压,
所述第一导电型为n型,
所述第二导电型为p型。
5.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第一通孔贯通所述第一配线层,与所述第一配线层绝缘而形成,并与所述第二配线层电连接。
6.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有形成贯通所述绝缘膜、并与所述第一配线层连接的第二通孔的工序。
7.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有在使所述半导体层与所述第二基板贴合前,在所述第二基板的贴合面形成第二金属层的工序。
8.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有除去所述绝缘膜的一部分,使所述发光元件的表面露出的工序。
9.如权利要求8所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有形成将露出的所述发光元件的露出面与所述第二配线层电连接的透明电极的工序。
10.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第一基板含有硅或蓝宝石。
11.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述半导体层包括氮化镓类化合物半导体,
所述第二基板含有硅。
12.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具有在所述发光元件上形成波长转换部件的工序。
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