[发明专利]无缝电导管

说明书

本公开公开内容的实施例总的来说涉及统一电导管，所述统一电导管包括中心导体，耦合至中心导体的第一端的插座，耦合至中心导体的第二端的公插件，环绕中心导体的介电护套，及环绕介电护套的外部导体，其中沿着其长度形成实质上90度的弯折。

技术领域

本公开公开内容的实施例总的来说涉及在半导体设备的制造中利用的装置及方法。更具体而言，本公开公开内容的实施例涉及电导管，用于在形成半导体设备的基板处理腔室中提供功率至静电卡盘。

背景技术

集成电路已进化成在单个晶片上可包括数百万个晶体管、电容及电阻的复杂设备。晶片设计的进化连续涉及更快的电路和更大的电路密度。具有更大电路密度的更快电路的需求对用以制作此类集成电路的材料提出相对应的需求。

更大的集成电路密度的需求还对集成电路部件的制造中所使用的工艺提出了需求。举例而言，在使用包括射频(RF)电极安装于其中以促进在腔室中产生等离子体的静电卡盘的工艺中，提供RF功率至静电卡盘中的电极的电导体倾向仅当施加低RF功率时正常运作。当较高RF功率被提供至常规电导体时，可发生电弧。

因此，本领域中需要改进的方法及装置，用于提供功率至卡盘的电导管。

发明内容

本公开公开内容的实施例总的来说涉及在半导体设备的制造中利用的装置及方法。更具体而言，本公开公开内容的实施例涉及电导管，用于在基板处理腔室中提供功率至静电卡盘。

在一个实施例中，提供一种统一电导管，包括：中心导体；插座，耦合至中心导体的第一端；公插件，耦合至中心导体的第二端；介电护套，环绕中心导体；以及外部导体，环绕介电护套，其中沿着其长度形成实质上90度的弯折。

在另一实施例中，提供一种腔室，包括：腔室主体，界定处理空间；基板支撑件，可移动地设置于处理空间中；以及统一电导管，耦合至基板支撑件。统一电导管包括：中心导体；介电护套，环绕中心导体；以及外部导体，环绕介电护套，其中沿着其长度形成实质上90度的弯折。

在另一实施例中，提供一种用于形成统一电导管的方法。方法包括形成直的制品，包括：提供由导电材料制成的第一管；绕第一管周边安装介电护套；提供由导电材料制成的第二管，以环绕介电护套的外表面；以及在直的制品中形成弯折，其中弯折为实质上90度。

附图说明

由此方式可详细理解本公开公开内容以上记载的特征，通过参考实施例获得以上简要概述的本公开公开内容的更具体说明，某些实施例示于附图中。然而，应理解附图仅示出本公开公开内容的通常实施例，且因此不应考量为其范围的限制，因为本公开公开内容允许其他等效实施例。

图1为示出处理腔室的概要侧剖面视图。

图2A和图2B为电导管的概要剖面视图。

图3A为图2A的电导管的第一端的放大剖面视图。

图3B为图2A的电导管的第二端的剖面视图。

图4为图2A的静电卡盘的一部分的放大剖面视图。

为了促进理解，已尽可能地使用相同的参考标号代表附图中共有的相同的元件。应理解一个实施例的元件及特征可有益地并入其他实施例中而无须进一步阐述。

具体实施方式

本公开公开内容的实施例关于在电子设备的制造中基板处理中利用的基板处理腔室。基板工艺包括沉积工艺，蚀刻工艺，以及其他低压工艺，等离子体工艺，热工艺，用以在基板上制造电子设备。可适以从本公开公开内容的示例性方面获益的处理腔室和/或系统的示例为从位于美国加州圣克拉拉市的应用材料公司商业上可取得的APF^TMPECVD系统。应考量包括来自其他制造商的其他处理腔室和/或处理平台可适以从本公开公开内容的方面获益。