[发明专利]用于浸没式光刻的图像传感器

说明书

一种用于浸没式光刻的图像传感器(17)，该图像传感器包括：光栅(310、320和330)；在光栅上的吸收层(350)，该吸收层被配置为吸收辐射；以及在图像传感器的上表面处的疏液涂层(400)，其中保护层(500)被设置在吸收层与疏液层之间，该保护层对浸液的反应性低于吸收层对浸液的反应性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月16日提交的EP申请第19169598.0号的优先权，并且上述申请通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本发明涉及用于浸没式光刻的图像传感器、衬底台、光刻装置、以及制作图像传感器的方法。

背景技术

光刻装置是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻装置可以被用在集成电路(IC)的制造中。例如，光刻装置可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案(还通常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了被图案化在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i-line)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有波长在4nm至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以被用于在衬底上形成比例如使用具有193nm的波长的辐射的光刻装置更小的特征。

在浸没式光刻装置中，液体被液体限制结构限制在浸没空间中。浸没空间位于投影系统的最终光学元件(通过该投影系统使图案成像)与图案被转印到其上的衬底或衬底被保持在其上的衬底台之间。液体可以通过流体密封件被限制在浸没空间中。液体限制结构可以创建或使用气流，例如以帮助控制浸没空间中的液体的流动和/或位置。气流可以帮助形成密封以将液体限制到浸没空间。衬底台的至少一部分衬底台被涂覆有亲水性有限的涂层，以减少由于衬底台相对于最终光学元件的运动而造成的液体损失。被集成到衬底台中的传感器中的至少一部分被涂覆有亲水性有限的涂层，以减少液体损失并且通过剩余液体蒸发减少热负荷。

浸没式光刻装置依赖于被集成到支撑衬底的衬底台中的若干传感器。这些传感器被用于：

-衬底/衬底台相对于参考框架的对齐；

-透镜(重新)调整、设置、加热补偿；以及

-掩模版(掩模)加热补偿。

传感器的标记被集成到薄膜层的叠层中，该叠层被沉积在内置于衬底台中的透明(石英)板上，并且用作：

-用于DUV的空间透射滤光片(扫描器上的集成透镜干涉“ILIAS”传感器、平行ILIAS传感器(PARIS)、透射图像传感器“TIS”传感器功能)。

-用于可见辐射“VIS”、近红外“NIR”、中红外“MIR”的空间反射滤光片(智能对准传感器混合“SMASH”传感器功能)。

来自叠层的顶表面(无标记区域)的反射被用于液位传感器。

例如，由于暴露于深紫外辐射，上层遭受降解。很难防止涂层或层降解。

由于许多原因，涂层或层的降解是不期望的，这些原因包括：不期望生成的颗粒，如果这样的颗粒进入用于对衬底或传感器进行成像的光束路径，则可能引入成像错误；以及以下事实：一旦涂层或层已经降解，则涂层或层的存在所期望的特性不再存在。

发明内容

期望的是，提供用于浸没式光刻装置的图像传感器，该图像传感器具有吸收层，该吸收层具有改进的抗降解性。