[发明专利]在读取一次性可编程存储器时提高性能的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

电流镜，其包括第一端子和第二端子，所述第一端子被配置为耦合到存储器；

逻辑门，其包括耦合到所述电流镜的所述第二端子的输入端子；

第一晶体管，其包括第一电流端子和第二电流端子，所述第一晶体管的所述第一电流端子耦合到所述逻辑门的所述输入端子，所述第一晶体管的所述第二电流端子耦合到地轨；以及

第二晶体管，其包括第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述第一电流端子被配置为耦合到电源轨，所述第二晶体管的所述第二电流端子耦合到所述逻辑门的所述输入端子。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流镜包括：第三晶体管，其包括第一电流端子、第二电流端子和栅极端子，所述第三晶体管的所述第一电流端子耦合到所述电流镜的所述第一端子；以及

第四晶体管，其包括第一电流端子、第二电流端子和栅极端子，所述第四晶体管的所述第二电流端子耦合到所述电流镜的所述第二端子，并且所述第四晶体管的所述栅极端子耦合到所述第三晶体管的所述栅极端子。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第三晶体管的所述第一电流端子耦合到所述第三晶体管的所述栅极端子。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流镜被配置为使从所述存储器获得的位电流提升。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述逻辑门进一步包括被配置为耦合到计算系统的输出端子。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管进一步包括被配置为耦合到控制器的栅极端子。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二晶体管进一步包括被配置为耦合到控制器的栅极端子。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述逻辑门被配置为比较传导通过所述电流镜的第一电流和传导通过所述第二晶体管的第二电流。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一电流是从所述存储器获得的位电流，并且其中所述第二电流是基准电流。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被配置为将所述逻辑门的所述输入端子初始化为逻辑低值。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器被额定为第一电压，并且其中所述电流镜、所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述逻辑门被额定为第二电压。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一电压大于所述第二电压。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器是一次性可编程存储器即OTP存储器。

14.一种感测存储器的方法，所述方法包括：

将感测电路的输出初始化为第一逻辑高值；

从所述存储器获得对应于存储在所述存储器中的存储器位的第一电流；

复制所述第一电流；

确定复制的第一电流是否大于第二电流，以及

响应于确定所述复制的第一电流大于所述第二电流，在所述感测电路的所述输出处生成第二逻辑高值。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二电流是基准电流。

16.根据权利要求14所述的方法，其中通过将逻辑门的输入初始化为逻辑低值，所述感测电路的所述输出被初始化为所述第一逻辑高值。

17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括响应于确定所述复制的第一电流小于所述第二电流，在所述感测电路的所述输出处生成逻辑低值。