[发明专利]在读取一次性可编程存储器时提高性能的方法和装置

说明书

公开了在读取一次性可编程存储器时提高性能的方法、装置、系统和制品。示例装置包括：升压电路(236)，其包括第一输出(215a)、第二输出(215b)、被配置为耦合到控制器(234)的第一输入(213)、耦合到解码器(246)的第一输出的第二输入(221)、耦合到解码器(246)的第二输出的第三输入(223)；以及多路复用器(206)，其包括耦合到升压电路(236)的第一输出(215a)的第一输入、耦合到升压电路(236)的第二输出(215b)的第二输入、耦合到存储器阵列(202/204)的第三输入，以及耦合到感测电路(208)的输出。

技术领域

本公开总体涉及存储器，并且更具体地涉及在读取一次性可编程存储器时提高性能的方法和装置。

背景技术

存储器通常包括存储器单元阵列，每个存储器单元可经由启用对应的字线和位线对来访问。因此，存储器单元通常包括字线开关设备和存储元件。在一次性可编程(OTP)存储器中，字线开关设备是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且存储元件是浮栅MOSFET(FGMOS)。

附图说明

图1是第一OTP存储器阵列、第二OTP存储器阵列、多路复用器和感测电路的示意图。

图2是示例第一OTP存储器阵列、示例第二OTP存储器阵列、示例多路复用器、示例感测电路和示例升压电路的示意图，以在读取第一OTP存储器阵列202和/或第二OTP存储器阵列204中的一个或多个时提高性能。

图3是示出图2的控制器的示例实施方式的框图。

图4是示出图2的升压电路的示例实施方式的示意图。.

图5是示出图4的电平移位器的示例实施方式的进一步细节的示意图。

图6是描绘图2和/或图3的升压电路的操作的图解说明。

图7是描绘基于更集中的时间尺度的图2和/或图3的升压电路的操作的图解说明。

图8是表示可以由示例机器可读指令实施的过程的流程图，该示例机器可读指令可以被执行以实施图2和图3的控制器。

图9是表示可以由示例机器可读指令实施的过程的流程图，该示例机器可读指令可以被执行以实施图2、图4和图5的升压电路。

图10是被构造为执行图8和图9的指令的示例处理平台的框图，以实施图2和图3的示例控制器、图2和图4的示例升压电路，和/或图4和图5的示例电平移位器。

这些图不是按比例绘制的。通常，贯穿(一个或多个)附图和随附的书面描述将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。除非另有说明，否则连接引用(例如，附接、耦合、连接和接合)应被广义地解释并且可以包括元件集合之间的中间构件和元件之间的相对运动。因此，连接引用不一定推断两个元件是直接连接的并且彼此具有固定关系。

当识别可单独提及的多个元件或部件时，本文使用描述符“第一”、“第二”、“第三”等。除非根据其使用上下文另有指明或理解，否则此类描述符无意赋予列表中的优先级、物理顺序或排列或时间顺序的任何含义，而仅用作用于分别指代多个元件或部件的标签以便于理解所公开的示例。在一些示例中，描述符“第一”可用于指具体实施方式中的元件，而在权利要求中可使用不同的描述符(例如“第二”或“第三”)来指代相同的元件。在这种情况下，应该理解，此类描述符仅用于方便引用多个元件或部件。

具体实施方式