[发明专利]在读取一次性可编程存储器时提高性能的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202080028781.9 申请日: 2020-02-14
公开(公告)号: CN113728384A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: S·巴利苏布兰马尼安;S·W·斯普里格斯;G·B·贾米森 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 魏利娜
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 读取 一次性 可编程 存储器 提高 性能 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种装置,其包括:

升压电路,所述升压电路包括第一输出、第二输出、被配置为耦合到控制器的第一输入、耦合到解码器的第一输出的第二输入、耦合到所述解码器的第二输出的第三输入;以及

多路复用器,所述多路复用器包括耦合到所述升压电路的所述第一输出的第一输入、耦合到所述升压电路的所述第二输出的第二输入、耦合到存储器阵列的第三输入,以及耦合到感测电路的输出。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述升压电路包括:

升压网络,所述升压网络包括输出、被配置为耦合到所述控制器的所述输出的第一输入,以及耦合到输入电压节点的第二输入;

第一电平移位器,所述第一电平移位器包括耦合到所述解码器的所述第二输出的第一输入、耦合到所述解码器的所述第一输出的第二输入、耦合到所述升压网络的所述输出的第三输入,以及耦合到所述多路复用器的所述第一输入的输出;以及

第二电平移位器,所述第二电平移位器包括耦合到所述解码器的所述第一输出的第一输入、耦合到所述解码器的所述第二输出的第二输入、耦合到所述升压网络的所述输出的第三输入,以及耦合到所述多路复用器的所述第二输入的输出。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述升压网络被配置为:

传输包括电压电平的信号;并且

响应于所述控制器的输出处的信号上的上升沿,提升所述信号的所述电压电平;并且其中

所述第一电平移位器或所述第二电平移位器中的至少一个被配置为基于所述解码器的所述第一输出处的第一逻辑值和所述解码器的所述第二输出处的第二逻辑值,将所述信号传输到所述多路复用器的所述第一输入或所述多路复用器的所述第二输入。

4.根据权利要求1所述的装置,还包括反相器,所述反相器包括耦合到所述多路复用器的第四输入的输出,以及耦合到所述解码器的所述第一输出的输入。

5.根据权利要求4所述的装置,其中:

所述存储器阵列为第一存储器阵列;并且

所述多路复用器包括:

第一n沟道晶体管,所述第一n沟道晶体管包括耦合到所述升压电路的所述第一输出的控制端子、耦合到第一p沟道晶体管的第一电流端子和所述第一存储器阵列的第一电流端子,以及耦合到所述第一p沟道晶体管的第二电流端子和所述感测电路的第二电流端子;以及

第二n沟道晶体管,所述第二n沟道晶体管包括耦合到所述升压电路的所述第二输出的控制端子、耦合到第二存储器阵列和第二p沟道晶体管的第一电流端子的第一电流端子,以及耦合到所述第二p沟道晶体管的第二电流端子和所述感测电路的第二电流端子。

6.根据权利要求5所述的装置,其中所述多路复用器包括:

所述第一p沟道晶体管,所述第一p沟道晶体管包括耦合到所述解码器的所述第一输出的控制端子、耦合到所述第一存储器阵列和所述第一n沟道晶体管的所述第一电流端子的所述第一电流端子,以及耦合到所述感测电路和所述第一n沟道晶体管的所述第二电流端子的第二电流端子;以及

第二p沟道晶体管,所述第二p沟道晶体管包括耦合到所述反相器的所述输出的控制端子、耦合到所述第二存储器阵列和所述第二n沟道晶体管的所述第一电流端子的所述第一电流端子,以及耦合到所述感测电路和所述第二n沟道晶体管的所述第二电流端子的所述第二电流端子。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储器阵列包括一次性可编程存储器阵列。

8.一种装置,其包括:

升压网络,所述升压网络被配置为:

传输包括电压电平的信号;并且

响应于控制器的输出处的信号上的上升沿,提升所述信号的所述电压电平;以及

电平移位器,所述电平移位器被配置为基于第一选择信号的第一逻辑值和第二选择信号的第二逻辑值将所述信号传输到多路复用器的输入。

9.根据权利要求8所述的装置,其中所述升压网络包括被配置为耦合到所述控制器的所述输出的第一输入、耦合到输入电压节点的第二输入,以及耦合到所述电平移位器的输入的输出。

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