[发明专利]半导体装置、电池组及电子设备在审

专利信息
申请号: 202080024141.0 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN113631934A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 池田隆之;青木健;上妻宗广;高桥圭;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;H02J7/00;G01R31/3835
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;姜冰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 电池组 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一至第三开关;

第一电容器;以及

比较器,

其中,所述第一开关的一方端子与第一端子电连接,

所述第一开关的另一方端子与所述比较器的非反转输入电连接,

所述第二开关的一方端子与第二端子电连接,

所述第二开关的另一方端子与所述第三开关的一方端子电连接,

所述第三开关的另一方端子与第三端子电连接,

所述第一电容器设置在所述第一开关的另一方端子与所述第三开关的一方端子之间,

所述比较器的反转输入与第四端子电连接,

并且,所述比较器的输出与第五端子电连接。

2.一种电池组,包括:

设置在柔性衬底上的权利要求1所述的半导体装置;以及

二次电池,

其中,所述二次电池的负极与所述第一端子电连接,

并且,所述二次电池的正极与所述第三端子电连接。

3.一种电子设备,包括:

权利要求2所述的电池组;以及

受电装置。

4.一种半导体装置,包括:

第一至第三晶体管;

第一电容器;以及

比较器,

其中,所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与第一端子电连接,

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一方与所述比较器的非反转输入电连接,

所述第二晶体管的源极和漏极中的一方与第二端子电连接,

所述第二晶体管的源极和漏极中的另一方与所述第三晶体管的源极和漏极中的一方电连接,

所述第三晶体管的源极和漏极中的另一方与第三端子电连接,

所述第一电容器设置在所述第一晶体管的源极和漏极中的另一方与所述第三晶体管的源极和漏极中的一方之间,

所述比较器的反转输入与第四端子电连接,

并且,所述比较器的输出与第五端子电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,

其中所述第一晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置,

其中所述第二晶体管和所述第三晶体管中的至少一方在半导体层中包含氧化物半导体。

7.一种电池组,包括:

设置在柔性衬底上的权利要求4至6中任一项所述的半导体装置;以及

二次电池,

其中,所述二次电池的负极与所述第一端子电连接,

并且,所述二次电池的正极与所述第三端子电连接。

8.一种电子设备,包括:

权利要求7所述的电池组;以及

受电装置。

9.一种半导体装置,包括:

第一至第六开关;

第一电容器;

第二电容器;以及

比较器,

其中,所述第一开关的一方端子与第一端子电连接,

所述第一开关的另一方端子与所述第六开关的一方端子电连接,

所述第二开关的一方端子与第二端子电连接,

所述第二开关的另一方端子与所述第三开关的一方端子电连接,

所述第三开关的另一方端子与第三端子电连接,

所述第四开关的一方端子与所述第一端子电连接,

所述第四开关的另一方端子与所述比较器的非反转输入电连接,

所述第五开关的一方端子与所述第二端子电连接,

所述第五开关的另一方端子与所述第六开关的另一方端子电连接,

所述第一电容器设置在所述第一开关的另一方端子与所述第三开关的一方端子之间,

所述第二电容器设置在所述第四开关的另一方端子与所述第五开关的另一方端子之间,

所述比较器的反转输入与第四端子电连接,

并且,所述比较器的输出与第五端子电连接。

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