[发明专利]用于在处理具有50nm或更小的线距尺寸的图案化材料时避免图案塌陷的包含硼型添加剂的组合物

权利要求书

1.一种非水性组合物，其包含：

(a)有机溶剂，

(b)至少一种式I的添加剂：

其中R¹、R²、R³和R⁴独立选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₁烷基羰基、C₆-C₁₂芳基、C₇-C₁₄烷芳基和C₇-C₁₄芳烷基；n为0或1。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述有机溶剂为极性质子有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述有机溶剂为直链或支化C₁-C₁₀烷醇。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述非水性组合物中的水含量低于0.1重量％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述非水性组合物基本上由所述有机溶剂和所述至少一种式I的添加剂组成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中R¹、R²、R³和R⁴选自C₁-C₆烷基、C₁-C₇烷基羰基、苯基、C₇-C₁₀烷芳基和C₇-C₁₀芳烷基。

7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中n为0。

8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述添加剂选自三乙酸硼、三苄基硼酸酯、三甲氧基硼酸酯、三乙氧基硼酸酯和三-2-丙氧基硼酸酯。

9.根据权利要求1-9中任一项所述的组合物用于处理具有图案化材料层的衬底的用途，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合。

10.一种制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的方法，所述方法包括以下步骤：

(1)提供具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合，

(2)使所述衬底与根据权利要求1-9中任一项所述的组合物接触至少一次，和

(3)从与所述衬底的接触中移除所述非水性组合物。

11.根据权利要求11所述的方法，其中所述图案化材料层具有32nm或更小的线距尺寸和10或更大的纵横比。

12.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述图案化材料层选自图案化显影光致抗蚀剂层、图案化阻挡材料层、图案化多堆叠材料层和图案化介电材料层。