[发明专利]物体定位器装置及装置制造方法

说明书

本发明提供了一种物体定位器装置(1)，包括被配置为将物体定位在定位平面中的平台(10)、底架(BF)、被配置为将底架支撑在支撑表面(RED)上的框架支脚(BFF)，以及平台支撑件(20)。平台支撑件包括平台支撑件主体(22)、在垂直于定位平面的方向上将平台与平台支撑件主体彼此连接的第一连接器(21)，以及被配置为在支撑表面上支撑平台支撑件主体的平台支脚(24)。平台支撑件还包括将平台支撑件主体与底架彼此连接的第二连接器(23)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月1日提交的EP申请19160192.1的优先权，该申请以其整体通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种物体定位器装置、一种平台支撑件、一种光刻设备、一种物体检查设备、一种物体定位器装置的调节方法以及一种装置制造方法。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所需图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。物体检查设备例如适用于检查已经施加到物体(例如衬底)上的图案。

随着半导体制造工艺的持续进步，电路元件的尺寸持续减小，同时每个器件的功能元件(诸如晶体管)数目在数十年内稳定地增加，呈现出通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了与摩尔定律保持一致，半导体工业正在追求能够生产更小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在衬底上形成图案的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻工艺中，最重要的是投影到衬底上的图案必须高度准确。此外，高生产率也是期望的。高生产率涉及例如衬底支撑件、图案形成装置支撑件、平衡质量块和/或其它通常较重的物体的高加速度。

这些高加速度趋向于导致显著的力，以及随之而来的例如物体定位器装置底架的变形和振动。这是不期望的，因为许多部件(包括例如传感器、晶片装卸器和/或掩模版装卸器)都附接至底架。这样，例如衬底支撑件的高加速度也以负面方式影响其它部件的性能。

在高生产率处，底架上相关的不期望的负载源可以在物体定位器装置的平台中找到。该平台例如包括物体支撑台和平衡质量块，物体支撑台和平衡质量块在定位器平面中相对于彼此移动。平台被设计为使得定位平面中或平行于定位平面的力尽可能地彼此平衡。物体支撑台的重心和平衡质量块的重心在垂直于定位器平面的方向上彼此偏移。施加在物体支撑台上的驱动力和施加在平衡质量块上的反作用力通常不在各重心处施加或产生。在垂直于定位平面的方向上，物体支撑台上的驱动力和平衡质量块上的驱动力之间也存在偏移。这些偏移共同使得这些驱动力生成扭矩。

该扭矩对于底架和附接至底架的部件的变形和动态行为具有不利影响。

发明内容

本发明旨在提供一种能够在保持良好定位准确度的同时实现高生产率的物体定位器装置。

根据本发明的一个实施例，提供了一种物体定位器装置，包括：

-平台，被配置为将物体定位在定位平面中，

-底架，

-框架支脚，被配置为在支撑表面上支撑底架，

-平台支撑件，包括：

-平台支撑件主体，

-第一连接器，在垂直于定位平面的方向上将平台与平台支撑件主体彼此连接，