[发明专利]使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装

说明书

本公开的各方面涉及一种带通滤波器，其包括在输入端子和输出端子处具有两个匹配电感器的全晶格布置中的四个BAW谐振器。本公开的另外方面涉及将BAW滤波器芯片与嵌入式3D电感器组合。通过将正面和背面RDL(960、970、980；1667、1675)与过模具通孔、TMV(930)、或过基板通孔(1630)进行组合来将3D电感器嵌入模具(850)或载体基板(1610)中。BAW芯片与TMV电感器位于同一模具中，或位于包含TSV电感器的载体基板上。

优先权要求

本专利申请要求于2019年2月19日提交的题为“具有谐振器和电感器的宽带滤波器”的申请号16/279,902的优先权，该专利申请已转让给本受让人，并且在此通过引用明确并入本文。

技术领域

本公开一般涉及宽带滤波领域，并且具体涉及具有(多个)谐振器和(多个)电感器的宽带滤波器。

背景技术

带通滤波器是用于选择性信号传输的电路元件。一种在微波频率下使用的带通滤波器是体声波(BAW)滤波器。BAW滤波器的一些实现方式的通带宽度有限，通常小于100MHz。诸如第五代(5G)无线通信系统之类的宽带应用需要具有更宽通带宽度(例如，高达400MHz)的BAW滤波器实现方式。

发明内容

以下呈现本公开的一个或多个方面的简化概述，以便提供对这些方面的基本理解。该概述不是对本公开的所有预期特征的广泛概述，并且既不旨在标识本公开的所有方面的关键元件或重要元件，也不旨在描画本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一个或多个方面的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

在一个方面中，本公开提供一种具有(多个)谐振器和(多个)电感器的宽带滤波器。因而，一种在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，该方法包括：在集成电路(IC)上的晶片层中定位第一重分布层(RDL)；在晶片层上方放置一个或多个垂直导电柱；通过将第一钝化层涂覆到晶片层上来形成多个电感器；在第一钝化层上镀制第二重分布层(RDL)；以及在第二重分布层(RDL)上方涂覆第二钝化层。

在一个示例中，晶片层是模制晶片层。在一个示例中，一个或多个垂直导电柱是铜(Cu)柱或铝(Al)柱。在一个示例中，晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片、砷化镓(GaAs)晶片、或玻璃晶片。

在一个示例中，该方法还包括：将多个谐振器芯片组装到晶片层上。在一个示例中，多个谐振器芯片中的一个谐振器芯片是体声波(BAW)谐振器。在一个示例中，该方法还包括：使用模制材料覆盖晶片层以形成模制晶片层。在一个示例中，模制材料是环氧树脂。

在一个示例中，该方法还包括：使用转移模制工艺或压缩模制工艺以使用模制材料覆盖晶片层。在一个示例中，该方法还包括：对模制晶片层进行背面研磨以暴露一个或多个垂直导电柱。在一个示例中，该方法还包括：在第二钝化层上方形成互连层。在一个示例中，互连层包括焊球或导电焊盘。在一个示例中，该方法还包括：切割集成电路(IC)以获得一个或多个单独带通滤波器。

本公开的另一方面提供一种用于在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，该方法包括：在集成电路(IC)上的晶片层内形成过玻璃通孔(TGV)；在晶片层的顶部上涂覆第一钝化层；在第一钝化层上方放置第一重分布层(RDL)，其中第一RDL被放置在一个或多个垂直导电柱上方；翻转集成电路(IC)；使用第二钝化层涂覆晶片层；在第二钝化层上方放置第二重分布层(RDL)以形成多个电感器。

在一个示例中，晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片、砷化镓(GaAs)晶片或玻璃晶片。在一个示例中，该方法还包括：通过金属镀层填充过玻璃通孔(TGV)以形成一个或多个垂直导电柱。在一个示例中，金属镀层为铜镀层。