[发明专利]使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装

权利要求书

1.一种用于在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，所述方法包括：

在所述集成电路(IC)上的晶片层中定位第一重分布层(RDL)；

在所述晶片层上方放置一个或多个垂直导电柱；

通过将第一钝化层涂覆到所述晶片层上来形成多个电感器；

在所述第一钝化层上镀制第二重分布层(RDL)；以及

在所述第二重分布层(RDL)上方涂覆第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片层是模制晶片层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个垂直导电柱是铜(Cu)柱或铝(Al)柱。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片、砷化镓(GaAs)晶片或玻璃晶片。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将多个谐振器芯片组装到所述晶片层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个谐振器芯片中的一个谐振器芯片是体声波(BAW)谐振器。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括：使用模制材料覆盖所述晶片层以形成模制晶片层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述模制材料是环氧树脂。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：使用转移模制工艺或压缩模制工艺以使用所述模制材料覆盖所述晶片层。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：对所述模制晶片层进行背面研磨以暴露所述一个或多个垂直导电柱。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述第二钝化层上方形成互连层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述互连层包括焊球或导电焊盘中的一个或多个。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：切割所述集成电路(IC)以获得所述一个或多个单独带通滤波器。

14.一种用于在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，所述方法包括：

在所述集成电路(IC)上的晶片层内形成过玻璃通孔(TGV)；

在所述晶片层的顶部上涂覆第一钝化层；

在所述第一钝化层上方放置第一重分布层(RDL)，其中所述第一RDL被放置在一个或多个垂直导电柱上方；

翻转所述集成电路(IC)；

使用第二钝化层涂覆所述晶片层；以及

在所述第二钝化层上方放置第二重分布层(RDL)以形成多个电感器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片、砷化镓(GaAs)晶片或玻璃晶片。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括：通过金属镀层填充所述过玻璃通孔(TGV)以形成所述一个或多个垂直导电柱。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属镀层是铜镀层。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括：通过激光钻孔工艺或蚀刻工艺来形成所述一个或多个垂直导电柱。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：通过镀铜工艺或导电膏填充工艺来形成所述一个或多个垂直导电柱。