[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一层堆叠，其包括源连接层，所述第一层堆叠沿垂直于所述衬底的主表面的第一方向被堆叠在所述衬底上；

沟道结构，其被配置为沿所述第一方向延伸到所述第一层堆叠中，所述沟道结构包括与所述第一层堆叠中的所述源连接层接触的沟道层；以及

屏蔽结构，其被形成在所述第一层堆叠中，所述屏蔽结构包围没有所述源连接层的层堆叠，其中，所述没有所述源连接层的层堆叠中的源牺牲层保持在原位以支撑所述第一层堆叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述源连接层被形成在所述第一层堆叠与所述衬底之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述屏蔽结构由对于所述源牺牲层的材料具有显著刻蚀速率选择性的材料形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

第二层堆叠包括栅极层和绝缘层，所述栅极层和所述绝缘层被交替地堆叠在所述第一层堆叠上；以及

所述沟道结构沿所述第一方向延伸到所述第一层堆叠和所述第二层堆叠中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一层堆叠包括栅极层和绝缘层，所述栅极层和所述绝缘层是交替地堆叠的。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构被配置为包围一个或多个伪沟道结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述屏蔽结构被设置在两个相邻的栅线切割结构之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述屏蔽结构在所述沟道结构被设置的核心区域中包括非封闭部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构的所述非封闭部分具有与阶梯区域中的所述屏蔽结构的封闭部分相同的高度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道结构至少包括沿所述第一方向延伸的电荷存储层、隧穿绝缘层和半导体层。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在所衬底上，沿垂直于所述衬底的主表面的第一方向，堆叠包括一个或多个源牺牲层的第一层；

形成包围所述源牺牲层的一部分的屏蔽结构；

形成沿所述第一方向延伸到所述第一层中的沟道结构，所述沟道结构包括被一个或多个绝缘层围绕的沟道层；

形成向下到所述第一层中的牺牲层的栅线切割沟槽；以及

经由所述栅线切割沟槽，使用至少源连接层代替所述源牺牲层，所述源牺牲层中被所述屏蔽结构包围的所述一部分保留在原位以支撑所堆叠的第一层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

基于掩模来限定所述屏蔽结构。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

刻蚀所述第一层以形成用于所述屏蔽结构的开口；以及

使用屏蔽材料填充所述开口。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述使用屏蔽材料填充所述开口包括：

将所述屏蔽材料过度填充到所述开口中；以及

抛光以去除所述屏蔽材料的过多部分。

15.根据权利要求11所述的方法，其中

经由所述栅线切割沟槽，刻蚀形成源连接开口的所述一个或多个源牺牲层；以及

经由所述栅线切割沟槽，刻蚀所述沟道结构的所述绝缘层以暴露所述沟道层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中

使用源连接层来填充所述源连接开口。