[实用新型]红外探测器

权利要求书

1.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器包括衬底(1)、外延层(2)、第一钝化层(3)、第二钝化层(4)、第一电极(5)、第二电极(6)以及读出电路(7)；

所述外延层(2)设置于所述衬底(1)上，所述外延层(2)配置为被刻蚀形成探测器台面(M)；所述第一钝化层(3)设置于所述探测器台面(M)的表面上；所述第二钝化层(4)设置于所述第一钝化层(3)上；

所述第一电极(5)和所述第二电极(6)设置于所述探测器台面(M)的表面上，且所述第一电极(5)和所述第二电极(6)与所述读出电路(7)连接。

2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，

所述探测器台面(M)的表面包括台面顶面(M1)、台面侧面(M2)和台面底面(M3)；

覆盖所述台面底面(M3)的所述第一钝化层(3)和所述第二钝化层(4)上开设有第一电极开口(P1)，覆盖所述台面顶面(M1)的所述第一钝化层(3)和所述第二钝化层(4)上开设有第二电极开口(P2)；

所述第一电极(5)包括第一部分(51)、第二部分(52)和第三部分(53)；所述第一部分(51)的至少部分位于所述第一电极开口(P1)中，所述第二部分(52)连接于所述第一部分(51)且延伸形成于覆盖所述台面侧面(M2)的所述第二钝化层(4)上，所述第三部分(53)连接于所述第二部分(52)且延伸形成于覆盖所述台面顶面(M1)的所述第二钝化层(4)上，且所述第三部分(53)与所述读出电路(7)连接；所述第二电极(6)位于所述第二电极开口(P2)中。

3.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于，所述外延层(2)包括在所述衬底(1)上依次生长形成的第一超晶格接触层(21)、超晶格吸收层(22)和第二超晶格接触层(23)。

4.根据权利要求3所述的红外探测器，其特征在于，所述第一电极(5)形成于所述外延层(2)上，所述第二电极(6)形成于所述外延层(2)上。

5.根据权利要求4所述的红外探测器，其特征在于，所述第一超晶格接触层(21)为N型超晶格接触层，所述第二超晶格接触层(23)为P型超晶格接触层；所述第一电极(5)形成于所述第一超晶格接触层(21)上，所述第二电极(6)形成于所述第二超晶格接触层(23)上。

6.根据权利要求3所述的红外探测器，其特征在于，所述第一超晶格接触层(21)的厚度为100-500nm，掺杂浓度大于5×10¹⁷/cm³。

7.根据权利要求3所述的红外探测器，其特征在于，所述第二超晶格接触层(23)的厚度为100-500nm，掺杂浓度大于5×10¹⁷/cm³。

8.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，衬底(1)为N型衬底。

9.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述第二钝化层(4)的厚度为100-300nm。

10.根据权利要求1或2所述的红外探测器，其特征在于，所述第一钝化层(3)为硫化物钝化层，所述第二钝化层(4)为氧化硅钝化层或氮化硅钝化层。