[实用新型]一种大功率半导体光放大器

权利要求书

1.一种大功率半导体光放大器，其特征在于，包括沿光传播方向依次设置的若干增益介质，用于放大输入所述增益介质的信号光，所述增益介质包括基板、以及所述基板上方依次层叠设置的下限制层、有源层和上限制层，所述有源层由量子点材料组成。

2.如权利要求1所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，若干所述增益介质彼此串联连接，沿光传播方向上的前一个增益介质的输出信号光作为后一个增益介质的输入信号光。

3.如权利要求1所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，所述增益介质为1×1多模相干结构。

4.如权利要求1所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，所述增益介质外镀有增透膜。

5.如权利要求4所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，用于制作反射型半导体光放大器，所述增益介质外镀有反射膜和增透膜。

6.如权利要求1所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，所述基板上方依次层叠设置有缓冲层、n电极层、下限制层、有源层、上限制层和p电极层，所述p电极层和n电极层分别与所述有源层之间设有上限制层和下限制层。

7.如权利要求6所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，所述p电极层和n电极层为砷化镓层。

8.如权利要求6所述的大功率半导体光放大器，其特征在于，所述上限制层和下限制层为铝镓砷层。