[实用新型]发光元件以及包括该发光元件的LED显示装置有效
| 申请号: | 202023221951.1 | 申请日: | 2020-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN213878132U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
| 发明(设计)人: | 张锺敏;李晟贤;金彰渊 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 以及 包括 led 显示装置 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
发光堆叠结构体,包括第一发光堆叠件、第二发光堆叠件以及第三发光堆叠件,所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件下部,所述第三发光堆叠件布置于所述第二发光堆叠件下部;
第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极以及第四连接电极,布置于所述发光堆叠结构体上部,并且电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件;以及
接合金属层,布置于所述第一连接电极至所述第四连接电极的上表面,
其中,所述第一连接电极至所述第四连接电极分别在上表面包括凹槽,
所述接合金属层分别覆盖第一连接电极至所述第四连接电极的凹槽。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
阻挡层,布置于所述接合金属层与所述连接电极之间。
3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述接合金属层覆盖所述连接电极的上表面的凹槽的同时至少局部地覆盖所述凹槽周围的所述连接电极的上表面。
4.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述连接电极包括Cu,所述接合金属层包括Au。
5.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一发光堆叠件电连接于所述第一连接电极以及所述第四连接电极,
所述第二发光堆叠件电连接于所述第二连接电极以及所述第四连接电极,
所述第三发光堆叠件电连接于所述第三连接电极以及所述第四连接电极。
6.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,
所述第一连接电极至所述第三连接电极分别电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层,
所述第四连接电极电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层。
7.如权利要求6所述的发光元件,其特征在于,
所述第一连接电极至所述第四连接电极布置于第三发光堆叠件的第一导电型半导体层的上部区域内。
8.如权利要求6所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第一垫,将所述第一连接电极电连接于所述第一发光堆叠件;
第二垫,将所述第二连接电极电连接于所述第二发光堆叠件;
第三垫,将所述第三连接电极电连接于所述第三发光堆叠件;以及
第四垫,将所述第四连接电极电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件。
9.如权利要求8所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第一下部接触电极,与所述第一发光堆叠件的第二导电型半导体层接触;
第二下部接触电极,与所述第二发光堆叠件的第二导电型半导体层接触;以及
第三下部接触电极,与所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层接触,
其中,所述第一垫至所述第三垫分别与所述第一下部接触电极至所述第三下部接触电极连接。
10.如权利要求9所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第一上部接触电极,与所述第一发光堆叠件的第一导电型半导体层欧姆接触,
其中,所述第一发光堆叠件的第一导电型半导体层具有凹陷的区域,
所述第一上部接触电极覆盖所述凹陷的区域。
11.如权利要求10所述的发光元件,其特征在于
所述第四垫与所述第一上部接触电极连接。
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